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31.
电子镇流器中LCC谐振逆变器控制策略研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对传统单片机控制LCC谐振逆变器控制过程中出现的问题进行了理论分析:并基于ATgOPWM2B微处理器,提出了改进型半桥LCC逆变器的控制策略.改善后的LCC逆变器不但提高了频率分辨率,改善了启动和功率调节特性,而且解决了频率修改时的波形异常问题.基于理论计算给出了电路各参数的计算方法,然后通过详细的仿真分析优化了设计方案,最后通过试验验证了上述理论和仿真分析的正确性.  相似文献   
32.
基于优化的、层次式的数/模转换器自动综合   总被引:1,自引:0,他引:1  
李兴仁  洪志良  韩兴成 《电子学报》1999,27(11):47-49,23
本文介绍了一种基于优化的、层次式的D/A转换器自动综合方法,该方法根据 本性能要求首先确定对各单元电路的性能要求,再由这些性能要求驱动相应的单元电路综合模块进行单元电路的综合。最后采用一个自下而上的过程难证所产生的D/A转换器的性能,在两个综合欠上,利用多维下降单纯形优化算法进行优化求解。  相似文献   
33.
非傍轴厄米-正弦-高斯光束的特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了研究厄米-正弦-高斯(HSiG)光束在非傍轴情形下受参量影响的特性,基于光强二阶矩理论,经过一系列复杂的数学计算,得出了非傍轴厄米-正弦-高斯光束的远场发散角、束腰宽度以及光束传输因子的解析式,并通过数值模拟,得到了它们与离心参量的关系。结果表明,在束腰宽度与波长比取值逐渐减小时,随着离心参量趋于0,当阶数为奇数和偶数时.发散角分别趋于63.435°和73.898°。束腰宽度和光束传输因子随参量的增加呈现较大的起伏,非傍轴情形下的光束传输因子取值与傍轴情况有很大的不同,其受参量影响不仅可以小于1,甚至趋于0。  相似文献   
34.
智能反射表面(IRS)可通过调整反射单元的相位来提升无线通信物理层安全.针对IRS辅助的多输入单输出(MISO)通信系统,提出一种基于交替迭代的物理层安全设计方案.首先基于安全速率最大化原则,构建一个含有非凸约束的非凸目标函数;然后采用丁克尔巴赫算法和黎曼流形优化算法将非凸问题转化为一系列易于求解的子问题;最后采用交替...  相似文献   
35.
根据物理气相传输法(PVT) AlN晶体生长特点及工艺要求,自主设计了AlN晶体生长炉及其配套热场.FEMAG软件热场模拟结果表明,自主设计的晶体生长炉及其配套热场可以达到AlN晶体生长所需坩埚内部温度梯度要求.基于设计的PVT生长炉,开展了在2 250℃生长温度、40 h长晶时间条件下的自发形核生长实验.实验研究结果表明,在该工艺条件下,通过自发形核可生长得到典型长度为3~Smm、直径为2 mm的高质量AlN单晶;AlN晶体的c-plane(0001)生长速率最快,易形成尖锥形晶体结构,不利于晶体的扩径;Raman表征图谱中AlN晶体的E2 (high)半峰宽仅为5.65 cm-1,表明AlN晶体质量非常高;SEM、EDS分析得出晶体内部质量较为均匀,c-plane和m-plane腐蚀形貌特征明显.  相似文献   
36.
FAFFA加速的PO-MM研究复杂金属载体上线天线电磁特性   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
华夷和  徐金平  牛臻弋 《电子学报》2003,31(Z1):2045-2049
本文提出了一种快速远场近似(FAFFA)加速的混合物理光学矩量法(POMM),利用FAFFA加速计算矩阵方程中的矩阵矢量积,明显提高了计算效率.对物体表面上的远场组之间的耦合作用推导出了一组简洁的计算公式,并分析了计算复杂度.复杂金属组合体上线天线输入导纳、互导纳和方向性图的计算结果与文献结果一致.利用该方法分析计算了一个舰船模型上线天线的电磁特性.数值结果表明了这种方法的正确性和工程应用中的有效性.  相似文献   
37.
电大尺寸复杂结构腔体电磁散射的IPO/FEM混合法研究   总被引:4,自引:1,他引:4  
该文将物理光学迭代法(IPO)的子域连接法与矢量有限元法(FEM)相结合,提出了一种新的混合方法用于分析计算电大尺寸复杂结构腔体目标的电磁散射特性。对于腔体内部适合用高频方法处理的部分采用IPO方法分析;对于具有复杂结构和材料特性的部分,采用矢量有限元法进行研究,利用交界面上的连续性条件实现这两种方法的耦合。为了验证理论模型的正确性,该文对某一矩形空腔及底部加载金属台阶的腔体进行了分析,计算结果与文献数据以及用时域有限差分法所得结果一致,并具有很好的收敛效果。在此基础上,对底部加载介质层的复杂结构腔体进行了分析计算,结果表明这种混合方法对于分析电大尺寸复杂结构腔体的散射特性是行之有效的。  相似文献   
38.
用于综合PWM芯片的并行遗传算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈黎  杨华中  汪蕙 《半导体学报》2003,24(11):1226-1232
提出了基于遗传算法的脉冲宽度调制(PWM)芯片的自动综合方法.为保证综合结果准确实用,对电路性能的评价基于HSPICE的仿真结果,提出的并行遗传算法采用了电路划分和参数关联技术,并运用互联网实现并行计算.综合实例表明了该方法的有效性  相似文献   
39.
This paper describes the -BIST method, defined as an analog BIST circuit in the context of mixed signal systems. The test procedure is based on the reuse of existing analog circuits configured as sigma-delta modulators in the analog domain. The test procedure reuses most of existing blocks in a mixed signal system, and thus has small area overhead. Test sensitivity is very high, detecting small component deviations. Moreover, the proposed test technique can be applied to continuous or sampled time circuits, and the test procedure can be developed in the field. The paper explains the method and presents practical results to validate the proposed approach.  相似文献   
40.
This paper proposes the design of a novel current-mode front-end for the extraction of localization spectral cues from two audio signals, together with test results. The front-end consists of two parallel filter banks, envelope extraction and comparison circuitry, together with an AGC loop. The extracted cues are intended to be further processed in order to determine the source azimuth and elevation. A current-mode log-domain implementation using subthreshold MOS operation is used for micropower operation while still achieving a good bandwidth and linearity. A current-mode solution is also preferred because of the ease of implementation of certain mathematical operations. The front-end splits the input signals into different frequency bands and computes monaural and interaural spectral cues from the resulting signal envelopes for each band. The front-end has been optimized to operate at a supply voltage of 1.8 V and most blocks have been designed using a differential architecture. To our knowledge, this is the first log-domain implementation of a front-end for 2-D localization cues extraction. The design has been carried out using a standard double-poly double-metal 0.8 m CMOS process with V T = 0.8 V. The bandpass filters which form the main core of the chip exhibit a measured dynamic range of 62 dB corresponding to 1.9% THD, while the total power dissipation is 890 W.  相似文献   
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