ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

新一代IP QoS的实现

文章介绍了新一代IP骨干网上的IP QoS实现技术，论述了集成业务(IntServ)与差分业务(DiffServ)解决方案的特点，详细介绍了相关的队列管理与排队机制。并结合多协议标签交换（MPLS)技术的最新发展，阐述了综合多协议标签交换流量工程与DiffServ技术体系端到端IP QoS的实现。     

指纹考勤管理软件的研究与实现

针对企、事业单位原有的考勤系统，如打卡钟、磁卡、IC卡等考勤方式存在代打卡、卡丢失等不足和缺陷的实际，结合指纹识别技术，建立一套考勤、薪资、人事管理于一体的软件系统。给出了系统的体系结构和功能实现，能使企业考勤管理更加简便快捷、客观公正。并提出了进一步的发展方向和展望。     

蜡晶形态结构对原油降凝的影响

 采用偏光显微镜观察了不同条件下蜡晶的形态变化，对蜡结晶过程中的结构、分布状态和生长规律进行了深入的研究，采用气相色谱分析了用52#、62#、80#蜡配制的模拟油中蜡的碳数分布，考察了凝点与蜡含量之间的变化规律，以及沥青质、胶质和大分子降凝剂(PPD)对模拟油降凝、降粘的影响，为改善原油流动性提供理论依据。实验结果表明，蜡晶的微观形态结构、蜡在油中的溶解性能以及降凝剂的降凝作用与模拟油中蜡的碳数分布密切相关，只有当降凝剂分子结构与油中蜡的结构匹配时，才能达到理想的降凝效果。通过实验确定了模拟油降凝时的临界蜡含量为40%（质量分数），大于该临界值后，凝点随着蜡含量的变化幅度将大大降低。     

2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计

用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.     

国有科研单位人才流失原因分析及对策

近年来,国有科研单位,尤其是地处经济不发达地区的国有科研单位,出现了较为严重的人才流失现象,一定程度上影响和制约了国有科研单位的发展。通过对国有科研单位人才流失原因的分析,提出了相应的对策。     

燃气管网动态仿真的研究及应用

研究和了解燃气在管道中的流动，是进行燃气管网系统优化和提高管网输运系统安全性的前提和基础。以流体力学三大守恒方程为基础，建立了等温和非等温条件下的燃气管网稳态和动态仿真理论模型。以有限差分法为基础，得到了上述模型的求解方法，并加入了耗散项，提高了求解方法的稳定性。通过增加初始点和延长出口点的方法，简化了模型的求解。通过在北京六环天然气管网中的初步应用，分别得到了与实际值综合相对误差为1.21％和2.62％的压力和流量仿真值，从而验证了模型及求解方法的可靠性。     

空气钻井技术在普光气田的应用

普光气田是四川盆地已发现的最大天然气田。普光气田已钻井实践表明,常规钻井液钻井技术机械钻速低,钻井周期长,钻井复杂及事故多,无法满足普光气田开发要求。为了提高钻井速度,缩短钻井周期,加快普光气田的开发进程,在PD-1井、P2-2井、PA-2井、P4-2井、P6-3井等5口井进行了空气钻井试验。文中分析了普光气田进行空气钻井的可行性,介绍了空气钻井技术在普光气田的实践情况,并对空气钻井的效果进行了评价,分析了空气钻井技术在普光气田进一步应用需要重视和解决的问题,并提出了今后的研究方向。     

重复压裂裂缝转向时油藏数值模拟研究

裂缝转向的实现及选井、选层、优化设计等的数值模拟和机理是转向重复压裂需进一步研究解决的问题,为此,采用黑油模型,研究了在反九点注采井网中,不同储集层渗透率下,转向重复压裂的裂缝穿透率和导流能力等对采油动态的影响。研究表明,不论是渗透率高的地层还是渗透率低的地层,不利裂缝方位的边井最适合实施转向重复压裂且需要比常规重复压裂更大的缝长,而有利裂缝方位的边井和角井只需要与常规重复压裂相当的缝长;同时,转向重复压裂需要比常规重复压裂更高的裂缝导流能力。