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61.
The MOVPE overgrowth of high [0 1¯ 1]-oriented ridges confined at sides by facets related to {n 1 1} crystallographic planes is reported. We studied the influence of the side tilt on the thickness of the AlGaAs and GaAs epitaxial layers grown under the condition of the kinetic growth mode. The multi quantum well (MQW) structures were prepared on the sides of ridges tilted at 54.7°, 45° and 30° to (1 0 0). The sidewall surface morphologies before and after epitaxial growth were evaluated and compared. We observed no tendency towards planarization towards a neighbouring high-index crystallographic plane, such as (2 1 1) and (3 1 1). We also showed that the quantum wells of the MQW structure make a smooth transition over the edge between the top surface and the facet as both AlGaAs and GaAs grew at similar rates on the surfaces. 相似文献
62.
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64.
65.
1.57 μm波长激光为人眼安全波长激光。将KTP晶体置于一个由LD端面泵浦、声光调Q的Nd:YVO4晶体双凹谐振腔内,利用KTP表面镀膜建立了内腔式OPO,实现了重复率在5~40 kHz范围内1.57 μm脉冲激光的稳定输出。实验结果表明,激光的阈值将随声光调Q器重复率的增加而升高,重复率为5 kHz时得到最低阈值1.52 W。重复率为15 kHz、泵浦功率为3.7 W时,输出光平均功率为305 mW,脉冲宽度50 ns,峰值功率400 W。 相似文献
66.
量子阱中能级位置的确定是获得量子阱红外探测器其它设计参数的基础。为了提供足够的载流子跃迁,阱层一般为重掺杂层。重掺杂使半导体材料禁带宽度变窄,从而改变量子阱中能级的位置。通过对不同温度、量子阱区不同掺杂浓度条件下的量子阱材料PL 谱进行测量,得出PL 谱峰值波长对应的电子跃迁峰值能量,它与阱中基态能级的位置有关。分别计算了考虑和不考虑禁带变窄效应时的电子跃迁峰值能量,并与实验结果相比较,可以看出考虑禁带变窄效应时与实验结果相吻合,因此掺杂量子阱区能级的计算需要考虑禁带变窄效应,这样可以较为精确的得出阱中能级的位置。 相似文献
67.
给出一个新的量子阱激光器等效电路模型,由量子阱激光器单模速率方程推导得到并在电路模拟程序SPICE中完成。该模型考虑了热辐射效应和分离限制区域(SCH)内的载流子工作情况,给出了新的光增益表达式。并利用该模型对单量子阱激光器的小信号特性和瞬态大信号特性进行了预测,模拟结果表明和速率方程的直接求解结果吻合很好。 相似文献
68.
从双波长激光运转及和频的机理出发,研制了LD泵浦NdYVO4晶体、LBO腔内和频593.5 nm连续黄光激光器激光反射镜的光学薄膜.为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了分析,采用对谐振腔一端面反射率固定不变,对另一腔镜基频光透过率进行调谐的方法,给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行优化,采用离子束溅射和离子束辅助沉积的方法,通过时间监控膜厚成功地制备出全介质激光反射膜.在室温下,实现1 064 nm和1 342 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频实现593.5 nm黄色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.8 W时,和频黄激光最大输出达85 mW,光-光转换效率为4.7%,功率稳定性24 h内优于±2.8%. 相似文献
69.
假设量子阱是类W-势阱,应变效应表现为势阱底部出现了类抛物线鼓包。在量子力学框架下,讨论了应变效应对输出波长的影响。结果表明,在应变作用下,量子阱出现了能级分裂,正是这种分裂为高性能量子阱光学器件的研制提供了更大的设计空间,为量子阱激光器件输出波长的调节提供了理论基础。 相似文献
70.
对用原子层外延方法,在[001]晶向GaAs衬底上生长的[(Cdse)m(Znse)n]p-ZnSe应变量子阱结构,在10~300K温度范围内测量了喇曼散射光谱,观察到两种类ZnSeLO声子限制模.利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射,观察到高达7阶的类ZnSeLO声子模.并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别. 相似文献