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21.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
22.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
23.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
24.
实体造型中的几何约束 总被引:5,自引:0,他引:5
实体造型是一个基于约束的过程,完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示,并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究,提出了基于CSG/GCG/B-rep的模型表示。 相似文献
25.
Takeshi Nakajo 《Quality and Reliability Engineering International》1993,9(2):111-119
Work system improvements are implemented in various manufacturing processes to prevent problems caused by human errors. However, they are almost always applied to problems which have already occurred. This paper examines a method of identifying latent human errors existing within the work systems beforehand. A procedure for applying failure mode and effect analysis to this identification problem was defined based on over 1000 empirical errors: a work system decomposition criterion and fundamental error modes for listing latent human errors, and then applied to three practical manufacturing processes in order to evaluate its effectiveness. 相似文献
26.
The evaluation of microcomputer programs: an area of debate 总被引:1,自引:0,他引:1
V. M. Johnston 《Journal of Computer Assisted Learning》1987,3(1):40-50
27.
本文介绍了秸杆毡的成型工艺 ,通过植物所需的水、肥料和空气三种因素对秸杆毡的化学和物理性能进行了研究 ,该材料可被用作草皮栽培基质 相似文献
28.
JFC磷酸酯的合成和应用 总被引:2,自引:0,他引:2
详述了JFC磷酸酯的合成工艺路线,以及它在织物前处理精练工艺中的应用。与其它磷酸酯类精练剂性能对比,证明它可作为一种性能优良的精练剂中的添加剂。 相似文献
29.
温熙华 《电信工程技术与标准化》2002,(5):36-39
本主要介绍基于CDMA智能网平台的一种增值业务——“位置服务”,阐述这个业务的网络结构、涉及到的技术问题和解决方案,并将这个整体思路投入到开发业务中去。 相似文献
30.
含氯取代基的聚间苯二甲酰间苯二胺的合成与表征 总被引:7,自引:0,他引:7
以 2 ,5 -二氯对苯二甲酰氯作为第三单体 ,将其与间苯二甲酰氯、间苯二胺在N ,N -二甲基乙酰胺中进行低温溶液共缩聚反应 ,合成了含氯取代基的聚间苯二甲酰间苯二胺。研究了单体摩尔浓度、反应初始温度、叔胺添加剂种类、第三单体用量等对共聚物相对分子质量的影响 ,并用红外光谱、热重分析等方法对共聚物进行了表征。 相似文献