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71.
河南烤烟(40级)总灰分及主要矿质元素分析报告 总被引:8,自引:3,他引:8
以河南烤烟(40级)国家标准仿制样品为试验材料,测定各等级烟叶总灰分及主要矿质元素含量,分析其与烟叶部位、颜色、成熟度、等级的关系,找出规律性,为研究烟叶矿质元素与外观质量、内在质量、燃烧性、安全性的关系提供参考。 相似文献
72.
73.
74.
TDMoIP E1多路复用器实现方案研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对TDM over IP技术总体结构和各项关键技术的深入研究、分析,探讨用于IP和以太网环境下的E1多路复用器的实现方案,为开发相关技术开展预先研究. 相似文献
75.
为了使高速数据网络和电信应用的电源达到最佳化,一种电流输出系统,它对AC-DC电源建立了一个新的性能标准,使电源的电流密度显著增加,电源效率大为提高,简化散热装置,体积也显著减小。文中介绍了针对美国Power-One of Camalillo公司的NET1电源的电流密度,驱动电路和有源功率的校正,同时对输出大电流的小型电源地作了详细的叙述。 相似文献
76.
Okokon U Etokakpan 《Journal of the science of food and agriculture》1993,61(4):389-393
β-(1·3)(1·4)-Glucans are the major components of isolated endosperm cell walls of both sorghum and barley grains and the concentration declines from 75% in unmalted barley walls to 32% in those of the 6-day malts. In sorghums over the same period, the reduction was from 72 and 68% to 54 and 62% in varieties L187 and SK5912, respectively. Following germination wall pentosans, while enhanced in barley, decreased in sorghum. The enzymes which were unable to hydrolyse the walls of sorghum to release sugars (unlike those of barley) did so after the walls had been solubilised in alkali. Cellobiose accounted for 43% of the hydrolysates of the alkali-solubilised walls when incubated with sorghum malt enzymes and 79% when barley enzymes were used. Laminaribiose was not detected in either case which indicates that the polysaccharide of the sorghum walls is largely of a ‘cellulosic’ nature. Preliminary evidence suggests that fuco-xyloglucan may contribute to the resistance of the sorghum endosperm cell walls to enzymic attack during germination. 相似文献
77.
4—氨基—三氮唑树脂对钼(Ⅵ)的吸附性能及其机理研究 总被引:11,自引:2,他引:11
在Ph=5.0的Hac-NaAc体系中,4-氨基-三氮唑树脂(4-ATR)对Mo(Ⅵ)有较好的吸附性.静态饱和吸附容量As=189.5mg/g·R,用1~3moll-1Ha可以将吸附的Mo定量洗脱.298K测得吸附热力学参数△H=-27.3kJ·mol 相似文献
78.
InxGa1−xAs-based ohmic contacts which showed excellent contact properties for n-GaAs were demonstrated to be applicable to p-GaAs
ohmic contacts. These contacts, prepared by radio-frequency sputtering, provided low contact resistance (0.2 Ω-mm), excellent
thermal stability, smooth surface, and good reproducibility. The contact resistances had a weak dependence on the annealing
temperatures, which was desirable in a manufacturing view point. This weak temperature dependence was explained to be due
to a unique Schottky barrier height at the metal/p-InxGa1−xAs interface which does not depend on the In concentration in the InxGa1−xAs layer. The present experiment showed the possibility of simultaneous preparation of ohmic contacts for both n and p-GaAs
using the same contact materials. 相似文献
79.
80.