外加磁场对石榴石铁氧体介电损耗测量值的影响和性能与缺铁量的关系

用普通陶瓷工艺制备YIGs、YGdIGs和BiCaVIGs等系列石榴石多晶铁氧体,按GB9633(等同IEC60556)标准在10.7GHz下测量了复合石榴石YIGs、YGdIGs和BiCaVIGs的介电常数ε′和介电损耗角正切tanδε,同时也测量了9.37GHz下的铁磁共振线宽DH。比较了加与不加稳恒磁场时ε′和tanδε的测量结果,讨论了加磁场后介电损耗的下降。此外还研究了tanδε和DH与缺铁量的关系,分析了DH最小值对应的缺铁量和tanδε最小值对应的缺铁量不重合的原因。     

复合陶瓷BaTiO_3/Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4的常温巨介电特性研究

采用传统的固相反应法和氧化物陶瓷工艺制备了无铅磁电复合陶瓷(1–x)BaTiO3/x Ni0.5Zn0.5Fe2O4(质量配比,x=0,0.2,0.5,0.8)(BTO/NZF),研究了NZF含量对复合陶瓷的物相组成、微观形貌、致密度和介电性能的影响。结果表明:当NZF含量较低(x=0,0.2,0.5)时,NZF对复合陶瓷有介电稀释效应;当NZF含量较高(x=0.8)时,复合陶瓷晶粒尺寸、致密度及两相间接触面积增大,其NZF含量达到复合陶瓷渗流阈值,产生Maxwell-Wagner(M-W)表面极化效应,使得复合陶瓷在低频(f=40 Hz)下具有高的巨介电常数(ε′=312 238)和较低的介电损耗(tanθ=0.40)。     

衰减纽扣的研制及其电磁性能的研究

在原有工艺基础上,制备出了性能相对稳定的、能满足使用方要求的衰减纽扣.通过调整衰减相含量来调整材料的介电常数ε和介电损耗tgδ值.在此基础上,初步探索了衰减相含量与介电性能间的关系.     

Al^3＋对高频大功率NiZn铁氧体性能的影响

研究了用Al^3 代替Fe^3 ，对高频大功率NiZn铁氧体性能的影响，它有效抑制了Fe^2 的产生，使铁氧体电阻率增加，介电损耗和磁损耗下降，且有较大的摆幅磁感，是提高高频大功率NiZn铁氧体性能的有效方法。     

在固态合成过程中相变化的监测

用实时测量介电损耗的方法研究了氧化物SrFeCo0.5Oy和LiMn2O4的固相合成过程，结果表明，在固相合成过程中，材料的介电损耗突变点对应材料中相的变化，材料介电损耗的变化对应固相保成过程中材料相含量的相对变化，实时测量材料在合成过程中的介电损耗是得到性能优异材料的重要手段之一。     

La0．8Ba0．2Mn1-yCuyO3的微波吸收性能

用溶胶-凝胶法制备了La0．8Ba0．2Mn1-yCuyO3系列微粉,测量了部分样品在2～18GHz范围的复介电常数和复磁导率并根据测量数据计算出材料的微波反射率,结果表明La0．8Ba0．2Mn1-yCuyO3系列具有较好的微波吸收性能,当y为0．13时,1．8mm厚时的最大吸收峰值达到28dB,10dB以上的吸收带宽达到3．1GHz;当y为0．17时,1．8mm厚时的最大吸收峰值达到29db,10dB122＆的吸收带宽达到2．5GHz。电磁频谱分析表明La0．8Ba0．2Mn1-yCuyO3以介电损耗为主,同时具有一定的磁损耗。     

功能化凯夫拉纳米纤维对羧基丁腈橡胶介电性能的影响

采用功能化凯夫拉纳米纤维(m-KNFs)填充羧基丁腈橡胶(XNBR),考察了m-KNFs的用量对XNBR硫化胶介电性能的影响。结果表明,m-KNFs可有效地提高硫化胶的介电常数,当m-KNFs的用量为7份时,XNBR硫化胶的介电常数达到了25.25,同时该硫化胶具有较小的介电损耗。     

La掺杂对(In0.5Nb0.5)0.10Ti0.90O2陶瓷微观结构和介电性能的影响

In和Nb共掺杂TiO₂(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过程中的能耗。结果表明,La掺杂减小了INTO陶瓷的晶粒尺寸,增加了陶瓷中晶界的数量,并且陶瓷中析出LaNbTiO₆二次相,在陶瓷晶粒之间形成高阻态的相界,降低陶瓷的低频介电损耗,优化了陶瓷介电常数的频率稳定性。     

含氟三环NCS液晶材料的介电性能研究

为了探究液晶材料的介电性能,本文研究了4PPTGS和4PUTGS两种含氟三环NCS类液晶材料的介电各向异性和介电损耗。首先用精密LCR表(Agilent E4980A)测量液晶盒的电容并用双盒模型和液晶盒电容模型得到4PPTGS和4PUTGS两种液晶材料的平行和垂直介电常数,再由电压-电容特性曲线得到它们的阈值电压,并进一步探讨了介电各向异性和阈值电压对温度的依耐性;然后,在20 Hz~10kHz范围内研究了外加电压频率对液晶材料介电损耗的影响,两种液晶材料在1kHz左右都存在介电损耗峰值,为了减小器件的功耗和提升器件的质量,液晶材料应选择在介电损耗小的频率下工作;最后,通过对平行和垂直排列向列相盒中液晶材料在不同电压下介电损耗的测试与分析,介电损耗的变化是由于在外加电场下液晶分子固有偶极矩的取向极化引起的,介电损耗值的大小与液晶分子的排列状态密切相关。此项研究对提升液晶材料在应用中的介电性能具有一定的指导意义。