外加磁场对石榴石铁氧体介电损耗测量值的影响和性能与缺铁量的关系

用普通陶瓷工艺制备YIGs、YGdIGs和BiCaVIGs等系列石榴石多晶铁氧体,按GB9633(等同IEC60556)标准在10.7GHz下测量了复合石榴石YIGs、YGdIGs和BiCaVIGs的介电常数ε′和介电损耗角正切tanδε,同时也测量了9.37GHz下的铁磁共振线宽DH。比较了加与不加稳恒磁场时ε′和tanδε的测量结果,讨论了加磁场后介电损耗的下降。此外还研究了tanδε和DH与缺铁量的关系,分析了DH最小值对应的缺铁量和tanδε最小值对应的缺铁量不重合的原因。     

YIG缺铁配方的研究

用氧化物方法制备了缺铁配方的YIG，发现随配方中FeO3含量的减少，YIG的电阻率增大，介电损耗和高频软磁损耗减小，截止频率增大。在本实验条件下配方中缺铁3．0％时样品为正分，其饱和磁化强度和复数磁导率的实部最大。     

功能化凯夫拉纳米纤维对羧基丁腈橡胶介电性能的影响

采用功能化凯夫拉纳米纤维(m-KNFs)填充羧基丁腈橡胶(XNBR),考察了m-KNFs的用量对XNBR硫化胶介电性能的影响。结果表明,m-KNFs可有效地提高硫化胶的介电常数,当m-KNFs的用量为7份时,XNBR硫化胶的介电常数达到了25.25,同时该硫化胶具有较小的介电损耗。     

基于改性BT提高PVDF复合材料介电性能的研究

以酒石酸为螯合剂对钛酸钡(BT)进行表面改性,制备改性BT/聚偏二氟乙烯(PVDF)两相复合材料,并对制备的复合材料做介电性能分析。结果表明：改性后的BT能显著地提高复合材料的介电性能,且随着改性BT体积分数的增加介电常数逐渐增大;当改性BT体积分数增加到70%时,复合材料的介电常数在100Hz处为174,达到了最大值,与此同时系列改性BT复合材料的介电损耗能保持在较低水平,在100Hz处均为0.05左右。通过Lichtenecker对数方程对复合材料介电性能增强机制分析发现,酒石酸在BT表面的改性显著地改善了BT与PVDF基体的相容性,在BT表面形成了高介电性的界面弛豫区域,从而迅速提高了聚合物的介电性能。     

BMN,BZN掺杂工业用BaTiO3基陶瓷的介电损耗

采用固相反应合成了Ba(Mg_1/3Nb_2/3)O₃(BMN),Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃(BZN)复合钙钛矿型粉末,并用它来改善工业BaTiO₃陶瓷的介电损耗特性,实验结果表明1300~1400℃烧结后,可获得至密度为90%左右的瓷体。同时经频谱阻抗分析实验,表明这类材料随频率从1KHz增加到1000kHz介电损耗显著降低,品质因数大幅度改善。     

掺杂稀土元素对Ag(Nb1-xTax)O3介电性能的影响

研究了添加稀土元素Gd2O3,Dy2O3对本系统介电性能的影响规律.实验表明,适量添加稀土元素能有效减少材料内部的缺陷和空位,并抑制B位Nb5 离子的松弛极化,明显改善材料的介电损耗(tgδ<1×10-3).另外Gd3 ,Dy3 取代部分Ag ,减小A位离子的平均半径,导致材料介电常数增大和减小的两种机制同时存在.当添加量适当时可以使材料的介电常数ε达到550以上.     

介电型石墨烯吸波复合材料研究进展EI北大核心CSCD

石墨烯因其独特的介电特性、高比表面积、低密度等性质,被认为是新一代吸波材料的有力候选。然而,单一组分的石墨烯吸波性能不佳,因此近年来石墨烯基吸波复合材料成为研究热点。本文介绍石墨烯及其复合材料的吸波机理与特性,指出介电型石墨烯作为极具发展潜力的吸波复合材料具有轻质、高强、宽频、薄层的特点。从石墨烯基体与掺杂体两方面综述了介电型石墨烯吸波复合材料的研究进展。最后指出,开发损耗能力强的新型介电掺杂体、构筑多组分吸波复合材料体系、建立通用的设计方法以及探索大批量的制备方法是未来的研究方向。     

Al^3＋对高频大功率NiZn铁氧体性能的影响

研究了用Al^3 代替Fe^3 ，对高频大功率NiZn铁氧体性能的影响，它有效抑制了Fe^2 的产生，使铁氧体电阻率增加，介电损耗和磁损耗下降，且有较大的摆幅磁感，是提高高频大功率NiZn铁氧体性能的有效方法。     

在固态合成过程中相变化的监测

用实时测量介电损耗的方法研究了氧化物SrFeCo0.5Oy和LiMn2O4的固相合成过程，结果表明，在固相合成过程中，材料的介电损耗突变点对应材料中相的变化，材料介电损耗的变化对应固相保成过程中材料相含量的相对变化，实时测量材料在合成过程中的介电损耗是得到性能优异材料的重要手段之一。