NiO/La2Mo2O9介电和表面势研究

固体氧化物燃料电池(SOFC)阳极材料得失电子能力和氧扩散性能影响其催化性能。对NiO体积含量分别为20%和40%的NiO/La2Mo2O9复合材料(N/L28和N/L46)的介电行为以及得失电子能力进行了研究。N/L28和N/L46样品的介电温度谱中按照损耗峰出现的温度从低到高的顺序依次发现与NiO相和La2Mo2O9相氧短程扩散有关的损耗峰,833K处观察到的介电损耗的突变与αLa2Mo2O9-βLa2Mo2O9相变有关。N/L46样品在500~813K范围内的一个宽化的损耗峰可用一个具有弛豫性质的峰和两个非弛豫性质的峰进行拟合。表面势测量结果表明,样品失去电子所需能量由大到小的顺序为La2Mo2O9,N/L28,N/L46,NiO。     

双马来酰亚胺树脂基高介电材料的制备及性能研究

采用原位聚合法将石墨和CaCu3Ti4O12(CCTO)与双马来酰亚胺树脂(BMI)、二烯丙基双酚A(BA)复合制备石墨/BMI/BA和CCTO/BA/BMI高介电复合材料。研究了石墨和CCTO含量对复合材料的介电性能的影响,结果表明,石墨含量的增加提高了材料的介电常数和介电损耗,在石墨含量约为11.975%时出现渗流效应,介电损耗增长较大,但最大值仍小于1。CCTO含量的增加也提高了材料的介电常数和介电损耗,材料的介电常数最大时为纯BMI/BA树脂的19倍;而介电损耗较小,最大值小于0.08。     

高密度聚乙烯导电复合材料介电性能的研究

用熔融共混和热压工艺制备了CB/HDPE,MWNT/HDPE聚合物基复合材料,研究了填料体积含量,测试电压,填料形貌尺寸对复合体系介电性能的影响.实验表明,当导电填料含量达到渗流阈值附近时复合材料的介电常数达到最大,测试电压达到一定值时,渗流阈值附近的复合材料介电损耗会迅速增加,相同填料体积含量的MWNT/HDPE复合体系比CB/HDPE体系具有更高的介电常数,利用渗流理论、Maxwell-Wagner界面极化效应和微电容模型解释了实验现象.     

B2O3对锂铝硅系光敏微晶玻璃介电性能的影响

通过研究不同B2O3含量的光敏微晶玻璃,获得了介电常数最小值为5.1和介电损耗达到最小值为5.7×10-3(1GHz)的光敏玻璃样品,分别对应B2O3含量为2wt%和0。通过红外光谱分析发现,B2O3以[BO3]式进入玻璃硅氧网络,会一定程度破坏网络结构,链状的[BO3]使玻璃网络变得更加疏松,最终导致玻璃的介电常数和介电损耗上升,介电性能下降。为提高玻璃的介电性能,降低介电损耗,应尽量避免硼元素的引入。     

Ca2+掺杂对SrTiO3压敏陶瓷介电损耗的影响

采用真空碳管炉烧结SrTiO3陶瓷的方法,研究以CaCO3作为改性添加剂对SrTiO3陶瓷介电损耗的影响,并对添加剂的作用机理进行了解释。实验结果表明加入适量CaCO3能降低样品介电损耗。在1300℃的烧结温度下,未掺杂有CaCO3的SrTiO3基电容?压敏陶瓷介电损耗tan δ最低为0.4,而掺杂有CaCO3的样品介电损耗有了显著变化,当CaCO3掺杂量2 mol%时,样品介电损耗tan δ为0.312。     

掺杂稀土元素对Ag(Nb1-xTax)O3介电性能的影响

研究了添加稀土元素Gd2O3,Dy2O3对本系统介电性能的影响规律.实验表明,适量添加稀土元素能有效减少材料内部的缺陷和空位,并抑制B位Nb5 离子的松弛极化,明显改善材料的介电损耗(tgδ<1×10-3).另外Gd3 ,Dy3 取代部分Ag ,减小A位离子的平均半径,导致材料介电常数增大和减小的两种机制同时存在.当添加量适当时可以使材料的介电常数ε达到550以上.     

纳米金红石相TiO2块体的介电特性研究

在大气和真空条件下,对纳米金红石相TiO2块体进行介电频谱测试。发现样品在大气中的相对介电常数比其在真空中的数值高10^2-10^3倍;大气中介电损耗高于其在真空中的数值,大气中频率约在3kHz时出现损耗最小值,真空中介电损耗则随频率增加而单调减小。分析认为纳米金红石相TiO2介电常数异常是由材料界面中的缺陷和悬键所引起的。大大气中,纳米金红石TiO2的介电损耗以极化损耗（电偶极矩转向极化和离子弛豫极化）为主,而在真空中则以电导损耗为主。     

反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗

在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz,所有的样品均未显示出可见的极化弛豫引起的损耗峰     

反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗

在氧气和氩气的混合气氛中,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜,其直流介电强度为３－４ＭＶ／ｃｍ。当固定氩气流量,改变氧分压时,薄膜沉积速率先减小,再增大,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下,薄膜的介电损耗可以达到０．４％,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从１００Ｈｚ到５ＭＨｚ,所有的样品均未显示出可见的极化驰豫引起的损耗峰。