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991.
为深入认识ε晶型六硝基六氮杂异伍兹烷(ε-CL-20)分子的骨架内、外基团在升温过程中的结构演化规律,采用原位傅里叶变换红外光谱(in-situ FT-IR),结合差示扫描量热(DSC),对ε-CL-20骨架内外基团的温度响应规律进行了定量比较分析。结果表明,ε-CL-20骨架外基团(—NO_2、C—H)的红外吸收峰强度随温度升高经历了三个变化阶段:线性下降阶段(ZⅠ)、加速降低阶段(ZⅡ)和第二次加速降低阶段(ZⅢ),可分别对应于CL-20晶体热膨胀、热致相变与热分解过程;分子骨架内C—N伸缩振动同样经历上述三个阶段,但ZⅡ、ZⅢ区域起始温度均明显高于骨架外基团,表明无论是热致相变还是热分解过程,骨架外基团对温度都更为敏感,而在更高温度下,骨架内基团才会对温度产生响应;骨架内C—C伸缩振动的温度响应特点更为复杂:随着温度的升高,其峰强仅经历一次加速降低阶段,同时C—C伸缩振动出现与ε-γ相变密切相关的新特征峰,表明相变过程使得分子骨架内C—C键的振动模式发生了明显变化,进一步升温后发现新特征峰的面积相对占比在不断增加,说明这种骨架内振动模式的变化直至热分解结束前仍在不断进行。 相似文献
992.
为了研究3,4–二硝基呋咱基氧化呋咱(DNTF)与5,5'-联四唑-1,1'-二氧二羟胺(HATO)混合炸药安全性能,对DNTF临界直径和不同比例的DNTF/HATO混合体系的撞击感度、摩擦感度、冲击波感度、热感度的变化规律进行了研究。结果表明:DNTF单质炸药临界直径约为0.2 mm。当HATO的含量小于等于55%时,混合体系的特性落高随HATO含量的增加线性增加;摩擦感度随HATO含量的增加线性减小。混合体系的冲击波感度在HATO含量小于等于50%时与DNTF相当,当HATO含量达到55%时有所改善,隔板值G50降低5 mm左右。DNTF和HATO混合后,HATO的热分解温度会由243.7℃降低到230℃左右。采用Dreiding力场对DNTF/HATO混体系分子动力学模拟得到,随着HATO含量的增加,DNTF分子中五元环与NO_2相连的C—N键、五元环中的C—O键的键长呈现下降的趋势,说明DNTF、HATO形成混合体系后,结构稳定性有所提高。 相似文献
993.
为详细了解高氯酸铵(AP)对5,5'-联四唑-1,1'-二氧二羟铵(HATO)热分解影响的机制,采用热重-质谱-傅里叶红外光谱(TG-MS-FTIR)联用技术、差示扫描量热法(DSC)、傅里叶红外光谱(FTIR)方法,对HATO和HATO/AP共混物的热分解特性、气体产物以及凝聚相变化进行了研究。结果表明,HATO具有两个连续热分解阶段,HATO/AP共混物则有3个热分解阶段;HATO、AP共混后,HATO使得AP熔融峰消失,AP可使HATO的热分解初始温度提前,热分解时间延长且不影响分解完全性;HATO热分解气体产物有CO_2、N_2O、HCN、NH_3、NO、N_2、H_2O,而HATO/AP共混物热分解产生气体主要有N_2、CO_2、N_2O、HCN、NH_3、H_2O、HCN、NO、HCl、NOCl;另外,采用等转化率法计算HATO和HATO/AP共混物四唑环基团的活化能分别为53.38 kJ·mol~(-1)和60.69 kJ·mol~(-1);通过对比HATO和HATO/AP共混物热分解特性以及凝聚相特征基团的变化,阐释了AP使HATO热分解温度提前的机理很可能是:AP的铵根离子与HATO之间发生了质子转移;推测AP导致HATO热分解时间延长的原因为:HATO/AP共混物产生的NH_3与热分解中间体1,1'-二羟基-5,5-联四唑(BTO)反应生成5,5'-联四唑-1,1'-二氧铵盐(ABTOX)。 相似文献
994.
甚小线性调频键控(VMCK)是一种高效的超窄带调制技术,具有窄带占用,强边带抑制,数据传输效率高等优点。频分复用技术是一种常用的提高频带利用率手段,在超窄带的通信结构基础上,根据VMCK调制原理,利用Simulink搭建超窄带系统的四路信号复用系统,并进行分析。 相似文献
995.
996.
997.
在四轮转向汽车中,需要方向盘转角作为控制参数,由于方向盘转角很大,且需要测量的是绝对转角,用一般的转角传感器很难解决,本文介绍了采用绝对值型编码器测量转角的方法,并给出了传感器与ECU之间的接口电路。 相似文献
998.
周夕良 《太赫兹科学与电子信息学报》2006,4(2):89-93
对第四代移动通信系统(4^th Generation Mobile Communication,4G)的起源、发展、特点,及世界上一些主要国家的研究进展作了介绍,并讨论了第四代移动通信系统可能涉及的几种核心技术:OFDM、软件无线电以及智能天线技术,最后提出了第四代移动通信系统空中接口在多址方式上将面临的挑战。 相似文献
999.
文章对铌酸锂声表面波SMD的全陶瓷封装中存在的技术难点及解决方法进行了浅析。通过降低温度梯度,环氧树脂中掺入晶态二氧化硅等方法减少作用于LiNbO_3芯片上的应力,解决了LiNbO_3芯片开裂的技术难点,实现了铌酸锂声表面波SMD的全陶瓷封装,并制定了生产工艺流程。 相似文献
1000.
首先回顾信息技术的发展:70年前发明了电视机,65年前发明了计算机,50年前发明了集成电路,45年前出现了光纤,40年前出现互联网,35年前出现个人计算机,30年前出现了移动通信,20年前出现了"WWW",10年前第三代移动通信标准问世。可以看到,近半个多世纪以来信息技术发展非常迅速,集成电路促进了个人计算机的发展,促进了互联网和移动通信,反过来移动通信和互联网也促进了个人计算机和集成电路的发展,互联网影响了社会,移动改变了生活。 相似文献