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81.
采用溶胶凝胶法制备了掺杂Pt(Ⅳ)的TiO_2薄膜电极,以此电极为工作电极,建立了光电催化体系.在外加电极电位+0.1V、溶液pH=4.0、紫外光照60min的条件下,可使酸性红B(ARB)的降解率达到98%,COD去除率达到94%.采用平面波赝势(PWPP)方法计算密度泛函(DFT)总能量,模拟计算Pt(Ⅳ)掺杂对TiO_2光催化活性的影响.结果表明,Pt(Ⅳ)掺杂锐钛矿TiO_2晶体后禁带(Eg)变小,TiO_2的费米能级降低,使电子-空穴在表面的复合几率降低,增强了光催化的活性. 相似文献
82.
为了研究二维光子晶体波导的传输特性,应用平面波展开法计算得到在0.216~0.35229,0.432-0.48386,0.76886-0.79716Hz波段的光波能在波导中很好的传输。并且分析了当圆柱半径从0.1a~0.5a发生改变时的带隙规律,从而为光子晶体波导器件的开发提供了理论依据。 相似文献
83.
84.
85.
导出了二维三角晶格光子晶体的填充系数与正多边形散射子外接圆半径的普适关系,并利用平面波展开法计算了Ge基二维三角晶格光子晶体的光子带隙.计算表明:Ge圆柱置于空气背景中时,可产生TM、TE带隙,TM带隙占优势;随着Ge填充系数的增大,光子带隙的宽度先增大后减小,其中心频率由高频向低频移动;TM模第一带隙宽度在半径为0.14a处达峰值.空气圆柱置于Ge背景中时,可产生TM、TE及完全带隙,TE带隙占优势;随着空气填充系数的增大,光子带隙的宽度先增大后减小,其中心频率由低频向高频移动;TE模第一带隙宽度和最大完全带隙宽度分别在半径为0.46a和0.49a处达峰值. 相似文献
86.
应用平面波展开法研究Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成光子晶体能态密度特性,得到填充率f随品格半径a之间的变化对应的能态密度分布,当f=0.2a时归一化频率存在最大光子带隙。通过比较化合物半导体材料为AIP、AJAs、AISb和GaP构成二维方形光子晶体得出GaP有较宽的光子禁带,随着填充率的增加光子晶体带隙增加。研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。 相似文献
87.
88.
89.
实验测量了20~50MeV的F离子碰撞Pb原子产生的L壳层X射线,研究了Pb的L各支壳层X射线产生截面σ(Ll)、σ(Lα)、σ(Lβ)、σ(Lγ)和σ(Ltot)与入射离子能量的关系。结果显示:在本能区范围内,Pb原子发射L壳层X射线产生截面随入射离子能量的增加而增加。利用L壳层的辐射跃迁几率、Coster Kronig跃迁率和L亚壳层的荧光产额将平面波波恩近似(PWBA)和ECPSSR理论计算的电离截面转换为L层X射线产生截面,并与实验结果相比较。结果表明,σ(Ll)、σ(Lα)、σ(Lβ)、σ(Lγ)、σ(Ltot)实验测量值与PWBA理论计算值差别很大,ECPSSR理论计算值与σ(Lα)实验值符合很好,与σ(Ll)、σ(Lβ)的实验值差别较小,但与σ(Lγ)的实验值差别较大。 相似文献
90.