KCl掺杂高纯度方钠石的合成

在硅铝酸盐胶体中掺杂KCl,采用水热法合成了高纯度的方钠石。考察了KCl掺杂量对合成方钠石的影响,研究表明:在不同含水量的硅铝酸盐胶体中掺杂KCl可以合成高纯度的方钠石,合成的方钠石均为球形颗粒,胶体中含水量越高,球形颗粒的粒径越大。为工业合成方钠石提供了一种新方法。     

二氧化硅气凝胶的研究进展

介绍了二氧化硅(SiO_2)气凝胶的发展历程,总结了SiO_2气凝胶的制备方法和应用,从疏水化、增强改性、掺杂改性等几个方面介绍了SiO_2气凝胶的研究进展。     

改性二氧化钛纳米材料的研究进展

TiO_2半导体光催化材料因其具有良好的化学稳定性、高效的光催化效率以及无毒无害、环境友好和生产成本低等优点倍受人们的青睐。为在实际应用中充分发挥TiO_2的优势,研究人员对TiO_2光催化材料进行改进,金属,非金属,稀土元素等多种化学成分和物质都被用于TiO_2的掺杂改性。文章就近年来TiO_2掺杂改性方面的最新研究进展进行综述。     

Al-SBA-15有序介孔材料的光化学合成与表征

以三嵌共聚物PEG-PPG-PEG(P-123)为模板剂,正硅酸四乙酯为硅源,硫酸铝为铝源,通过光化学法合成了Al-SBA-15有序介孔材料。利用XRD、SEM、N_2物理吸附与化学吸附等对Al-SBA-15介孔材料进行了表征分析。研究了硫酸铝的加入量对SBA-15介孔材料的有序度、表面形貌、铝掺杂量和固体酸量等的影响。结果表明:光化学法合成了铝掺杂的SBA-15,随着硫酸铝加入量的增加,SBA-15的二维六方介观结构被逐渐破坏;当投料比Si/Al为5时,所得Al-SBA-15的介孔结构保持完好,骨架结构中Si/Al为16.5,产生了酸性活性位点,比表面积达到(693±5)m~2·g~(-1)。     

特高压晶闸管径向变掺杂新技术

分析了特高压晶闸管的体内耐压及双负角造型下表面耐压机理。基于台面减薄工艺发展了径向变掺杂技术。该技术在芯片不降低阻断电压前提下厚度极薄化,制造并测试了传统平面结扩散及采用径向变掺杂技术的样品,测试结果显示,采用径向变掺杂技术的样品压降、流通能力及各动态参数均有很大的提高。     

钨掺杂M型二氧化钒粉体的水解法制备与结构分析

采用水解法制备不同W掺杂量的VO2(M)粉体。借助于X射线衍射仪、Fourier变换红外谱、差示扫描量热仪、X射线光电子谱仪和X射线精细结构谱对粉体的成分和结构进行表征。结果表明,W6+进入VO2晶格,形成固溶体V4+1-3xV3+2xWxO2。W掺杂降低了VO2(M)的相变温度,相变温度与W掺杂量在一定范围内成线性关系,掺杂效率约为18℃/1%(摩尔分数)。掺杂的大半径W原子部分替换了VO2(M)晶格中的V原子,晶格膨胀畸变产生的压应力通过共享顶点O,沿着W—O—V链传递到邻近的次晶格,造成V—O键键长变化,促使V周围的氧分布对称性随W掺杂量的增加而增大。当W掺杂量增大至2.5%时,单斜结构中的V—O1键和V—V1a键伸长,V—O2键和V—V1b键缩短,V—O1和V—O2峰合并成金红石结构的V—O峰,V—V1a峰和V—V1b峰合并成金红石结构的V—V1峰,即样品已转变为金红石结构。     

Ce掺杂改性TiO_2对MNO_x/Ce-TiO_2体系催化活性的影响

以Ce掺杂的TiO2粉体为载体,MNOx为活性组分,制备了MNOx/Ce-TiO2体系SCR催化剂,利用TG-DSC,XRD,SEM及EDS考察了Ce的掺杂对MNOx/TiO2体系活性的影响,采用模拟烟气分析装置测试催化剂的活性。结果表明：Ce离子的掺杂阻碍了TiO2粒子由锐钛矿型向金红石型的转变,拓宽了锐钛矿型TiO2的使用温度范围。TiO2粉体粒子在锐钛矿型状态下,颗粒分散较为均匀,并且无明显团聚现象,保证了较高的比表面积,催化剂的SCR催化活性比未掺杂的催化剂活性有明显的提高。     

W掺杂BiOCl光催化剂的制备及其可见光催化性能研究

在以Bi(NO3)3为铋源、WCl6为氯源和钨源、乙二醇为溶剂、尿素为添加剂形成的新Bi-W-Cl-O体系下采用一步溶剂热法合成W掺杂BiOCl光催化剂,应用XRD、FSEM、XPS和UV-Vis对样品进行表征,并以苯气体作为降解物,考察了W掺杂BiOCl光催化剂的光催化性能。结果表明,由于金属W的掺杂,BiOCl的吸收波长发生明显红移,相比于纯BiOCl提高了对太阳光的利用率,同时大大提高了BiOCl在可见光下的光催化降解苯效率。     

稀土掺杂改性聚苯乙烯研究

以适当的有机稀土化合物作为掺杂剂制得掺稀土聚苯乙烯，用红外光谱、紫外光谱、Ｘ射线光电子能谱、热分析、ＧＰＣ对其结构和性质进行表征，并测试部分力学性能，表明掺稀土聚苯乙烯比对照的聚苯乙烯在热稳定性、冲击强度、弯曲强度上有明显的提高。     

聚乙二醇对FTO基底上电沉积?热氧化制备的ZnO薄膜光电化学性能的影响

通过先电沉积后热氧化的方法在氟掺杂Sn O2(FTO)基底上制备了多孔ZnO薄膜。研究了聚乙二醇(PEG-6000)质量浓度对ZnO薄膜的形貌、结构及可见光光电流的影响。结果表明,在恒定电流密度7.0 mA/cm~2沉积300 s的条件下,于含有0.4 mol/L Zn Cl2、5.0 mol/L NH_4Cl和0.4 mol/L H3BO3的镀液中添加10～200 mg/L的PEG-6000,有利于在FTO基底上得到结合良好的金属Zn沉积层,热氧化后转变为有基底Sn自发掺杂的多孔ZnO薄膜。其中PEG质量浓度为50 mg/L时制得的ZnO薄膜厚度最大、孔隙最多,表现出良好的光电化学性能。