超声辐照合成超细NiO的研究

以氯化镍为镍源,碳酸氢铵为沉淀剂,采用液相沉淀–热分解法制备NiO。合成过程中引入超声场,并考察了不同加料方式对产物粒度和纯度的影响。采用SEM,XRD,激光粒度分布测定技术和离子色谱技术分别对产物进行表征。结果表明,在前驱体制备过程中引入功率超声可以减小产物NiO的粒径,且使形状更加规整;在有超声作用下采用并加加料方式制得了晶粒度为5~10nm,平均粒径为1.10μm,w(Cl–)为0.056%的立方晶系的NiO。     

温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响

为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。     

颗粒包覆法制备BZT-CT复合陶瓷

采用预合成的方法,分别用得到的单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末作为正负温度系数组元,用sol-gel法制备的ZnO-B2O3-SiO2玻璃,包覆两组元颗粒以阻止其相互反应,从而制备复相零温度系数微波陶瓷。结果表明:预合成及颗粒包覆法可抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷的烧结温度,调节温度系数。特别是900℃烧结的w(CT)为4%的样品,其εr约为47,αε为2.8×10–6℃–1。     

一种新型无机传热元件

随着电子设备的结构越来越紧凑,组装密度越来越高,功耗越来越大,设备的散热问题越来越严重,传统的热设计技术已很难满足其要求,应积极跟踪并应用新的热设计技术,以满足现代电子设备的发展需要.对一种新型无机传热元件的工作原理进行了详细说明,对其传热效果进行了验证,给出了应用实例,可供从事军用电子设备研制的设计人员参考.该传热元件能有效解决大功率设备和密封设备的散热问题,从而确保设备工作的稳定性,提高其可靠性.     

TiO_2可见光光催化的研究进展

扩展TiO2催化的响应光谱范围,已成为目前TiO2光催化最具挑战性的课题之一。从TiO2体相掺杂、表面敏化等方面对近年来实现TiO2可见光光催化的途径和方法进行了简要总结。要进一步提高光催化效率还需:深入理解现有TiO2可见光体系的光催化机理;发现更高效的体相掺杂剂和表面敏化剂;设计和控制掺杂剂和表面敏化剂存在形态。     

最新屏幕制作及显示技术

绿色磷光有机EL;NEC3.5英寸液晶屏模块;手术室用液晶显示器;无机EL及有机EL面板的组合应用;     

BBS玻璃掺杂对CLST陶瓷介电性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了BaO-B2O3-SiO2(BBS)玻璃掺杂的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)介质陶瓷,用X-射线衍射仪,扫描电镜及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明,BBS掺杂能显著降低CLST陶瓷的烧结温度,由1 300℃降至1 100℃.BBS掺杂量为7%(质量比),烧结温度为1 100℃时,CLST陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=62,介电损耗tan δ=0.007,频率温度系数τf=0.82×10-6/℃.     

BSTO/MgO铁电移相材料的研究

采用固相反应法制备了钛酸锶钡/氧化镁(BSTO/MgO)铁电移相材料。研究了材料的相组成、显微结构和介电性能。经测试分析表明:MgO 与 BSTO 复合后,并没有出现二次相,且晶粒形状分布均一,粒度均匀;w(MgO)为 50%时,材料的低频(10 kHz)εr为 157,tgδ 为 0.000 6,高频(约 2.5 GHz)εr为 120,tgδ 为 0.008;4 000 V/mm偏压下的调谐性为 17.5%,基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求。     

湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体

用改进的 Pechini 法合成 Ca_(0.28)Li_(0.15)Sm_(0.28)Nd_(0.15)TiO_3(CLSNT)陶瓷粉体。采用 TG、DTA、XRD 和 SEM等技术对 CLSNT 陶瓷粉体进行分析。在 600℃预烧 3 h 后,钙钛矿结构的 CLSNT 相形成,但有少量 Sm_2Ti_2O_7、TiO_(1.49)、Ti_3O_5、Ti_4O_7 相。预烧温度升高到 1 000℃,只有钙钛矿结构的 CLSNT 相。用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷。在 1 230℃下烧结 3 h,εr为 98,Q·f 为 6 360 GHz,τf 为 8×10–6℃–1。     

氮掺杂对a-C:F薄膜表面形貌和键结构的影响

用射频等离子体增强化学气相沉积设备制备了氮掺杂a-C:F(氟化非晶碳)薄膜,研究了不同氮源流量比对薄膜表面形貌和键结构的影响。AFM观察结果发现:随氮流量的增加,薄膜表面粗糙度降低,颗粒粒径变小,薄膜更加均匀致密。Raman光谱分析表明:氮源流量的增加会引起薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升,当r(N2/(CF4+CH4+N2))为68%时,ID/IG由未掺N2时的1.591增至4.847,薄膜的热稳定性增强。