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21.
该机采用专利低耗电发热板平板加热器,温度均匀,热补偿性好,耗电量比其他同类型炉少1/3;  相似文献   
22.
熔盐法合成钛酸铋钾陶瓷粉体   总被引:1,自引:0,他引:1  
以K2CO3,Bi2O3和TiO2为反应物,KCl为熔盐,通过熔盐法在600℃成功合成纯钙钛矿结构K0.5Bi0.5TiO3(KBT)无铅陶瓷粉体。探寻了制备过程中影响粉体颗粒大小和形貌的工艺参数,并对影响机理进行了探讨。结果表明,与传统固相法相比,熔盐法合成温度显著降低且颗粒平均粒径明显减小。固相法合成的粉体平均粒径为115nm,KCl含量5%和20%的熔盐法合成粉体平均粒径为78nm和67nm。此外,实验发现随着熔盐量的增加,易合成各向异性的棒状粉体。  相似文献   
23.
在大功率半导体激光器列阵及叠阵的组装中,焊料的选择是极其关键的,因为焊料直接参与对激光器的导电、导热激光器所需的电流全部从焊料通过,而半导体激光器列阵或叠阵工作时电流是很大的,可达50A~100A。同时半导体激光器工作时产生的热量非常大,如焊料的导热性不好,由于电流的热效应,就会在焊料上产生巨大的热量,使焊料熔化。文中研制了一种新型的焊料,这种焊料在两层铟之间蒸镀几层金,焊料由钨/镍/金/铟/铜等多层金属构成。利用这种焊料研制出脉冲功率达100W的半导体激光器列阵。  相似文献   
24.
新型Sn-Ag-Bi-Cu-In系无铅钎料合金研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过正交试验设计形成Sn-Ag-Bi-Cu-In系无铅钎料合金,并对钎料合金的熔化温度、可焊性、密度及剪切强度等进行研究.研究发现,Sn-Ag-Bi-Cu-In系钎料合金熔化温度接近传统的熔化温度,固-液温度差小;钎料密度约为传统Sn63Pb37的87%;试样铺展面积为72.02mm2,与Sn63Pb37焊锡的铺展面积76.85 mm2非常接近;钎料的剪切强度远大于传统Sn63Pb37钎料的剪切强度,其断裂形貌为沿晶脆断.  相似文献   
25.
采用DOE方法优化无铅波峰焊接工艺   总被引:1,自引:0,他引:1  
无铅波峰焊接工艺相比有铅波峰焊接工艺显得复杂和难以控制。通过采用DOE和波峰焊工艺分析相结合的方法,设计无铅波峰焊工艺,大大降低了缺陷率,提高了无铅波峰焊接质量,在生产实践中具有很大的指导意义。  相似文献   
26.
采用传统的两步固相反应法制备了一种低温烧结的CuBBiO_4-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Ni_(1/3)Nb_(2/3))-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Zr_(0.5)Ti_(0.5))(BBC-BSNN-BSZT)压电陶瓷,并研究了CuBBiO_4(BBC)掺杂量对陶瓷微观形貌、相结构、介电、压电性能和烧结温度的影响。研究结果表明,制备的陶瓷样品为单一的钙钛矿相,未发现其他杂相;掺杂的BBC低熔点化合物在烧结中提供适量液相,促进烧结,样品可在925℃烧结致密。该压电陶瓷材料的居里温度由158℃提升到230℃;当掺杂w(BBC)=0.75%(质量分数)时,陶瓷达到最佳压电性能:压电常数d_(33)=613pC/N,机电耦合系数k_p=0.7,介电常数ε_r=3 926,介电损耗tanδ=0.005 2,品质因数Q_m=70。居里温度T_C=227℃。  相似文献   
27.
铜铟铋硫对Sn-Ag基无铅焊料性能的影响   总被引:5,自引:1,他引:5  
研究了Cu、In、Bi、S元素对Sn-Ag基无铅焊料熔点和铺展性的影响。结果表明:Sn-Ag-Cu三元合金成分为95.5%Sn3.5%Ag1%Cu时具有较低熔点(215℃)和好的铺展性;加入适量的In可降低Sn-Ag合金的熔点和改善铺展性能;随w(Bi)的增加Sn-Ag-Bi三元合金的熔点降低、铺展性变好;Sn-Ag合金的熔点随w(S)的增加而升高,加入少量S能改善Sn-Ag合金的铺展性。  相似文献   
28.
本从器件和PCB安装结构发展的趋势出发,探讨了PCB组装工艺未来发展的趋势表面临的挑战,分析了应付这种挑战的对策。  相似文献   
29.
提高焊膏印刷质量的工艺改进   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨晓渝 《微电子学》2003,33(5):419-421
焊膏印刷作为SMT工艺的第一步,其质量好坏对SMT工艺有着重要影响。文章通过对焊膏成分、特性的分析,讨论了印刷中各种工艺参数的正确选择;对焊膏印刷中容易出现的质量问题进行了详细分析,指出了产生问题的原因,提出了改进措施。  相似文献   
30.
(Zn_(1/3)Nb_(2/3))~(4+)取代的BNT系无铅压电陶瓷性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1–x(Zn1/3Nb2/3)xO3(简称BNTZN—100x)系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+取代量对BNT陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:当0.005≤x≤0.020时,该体系陶瓷具有三方、四方共存的准同型相界(MPB)结构。在MPB附近,具有较佳的压电性能:当x为0.020时,d33为97pC/N,kt为0.47。εr-t曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征。具有高kt值,低kp值;kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良超声换能材料。  相似文献   
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