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Douglas-G.Ivey 《北京科技大学学报(英文版)》2010,17(4):459-463
Ni/Sn couples,prepared by sequentially electroplating Ni layers and Sn layers on metallized Si wafers,were employed to study the mierostructures and growth kinetics of Ni-Sn intermediate phases,when the Ni/Sn couples were aged at room temperature or annealed at temperatures from 150 to 225℃for various times.The results show that the NiSn phase and Ni_3Sn_4 phase are formed,respectively,in the aged couples and annealed couples.The Ni_3Sn_4 layer is continuously distributed between the Ni and Sn sides in t... 相似文献
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通过对金宝剑(Vrieseamarjolcin)、安祖花(Anthuriumandraeanum)和一品红(Euphorbiapulcherrima)3种花卉在萧山区海拔500m山区越夏与海拔9m平原越夏的比较试验,结果显示:山区越夏后,金宝剑的叶片数、叶片长度、叶宽、株高和冠径分别比平原越夏后增长了6.9%,28.6%,7.1%,7.5%和9.7%,叶色较深,生长好又快;安祖花的植株高,花蕾多,叶片深绿、有光泽,其平均株高和单株花蕾数分别比平原越夏后高3.2cm和多0.8个;一品红的平均株高55.8cm,每株最大苞片平均7.8cm,且完全转红,达到市场销售的要求,而平原越夏后则出现下部叶片掉落的现象(平均株高57.1cm,每株最大苞片平均7.2cm),不完全转红,不能形成成品,达不到市场销售的要求。表明这三种花卉在山区越夏的生长情况都要好于平原越夏。 相似文献
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金刚石涂层在硬质合金基体上的沉积及其粘结强度明显取决于基体的成分。尤其在低碳硬质合金基体上沉积的过程中,基体从含碳介质中吸收碳,从而阻碍了硬质合金上金刚石涂层的形成。此过程占用了沉积过程的很长时间,并能使金刚石一硬质合金界面的一部分金刚石涂层分解,从而降低界面的粘结强度。为了研究沉积过程中这种作用,实验是在缺碳、含有少量1碳化物(Co3W3C)的基体上完成的,通过使用这种合金样品发现Co3W3C C转化成Co(C,W) WC的反应前沿从表面迁移到了整个材料中,这也证实碳已扩散到了基体中。本文表明,温度在900℃时C和W的扩散速率以及反应速率都很高足以使所有η碳化物转化成Co(C,W) WC:经20小时的沉积后反应前沿已进入基体中约0.9mm深。沉积过程中钴粘结剂中的碳饱和以及部分金刚石涂层的分解可通过对基体不同深度部分进行晶格常数测定和通过界面的SIMS测定进一步加以证实。 相似文献
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对Al-Cu合金中α-Al及Al2Cu生长行为的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Al-Cu合金中α-Al和Al2Cu的生长行为,分析了初生α-Al及初生Al2Cu作为共晶核心形核的能力.结果发现,在过共晶组织中,初生相Al2Cu形貌大部分有明显的拐角,观察其平面有的呈矩形,呈现小面生长特性.而α-Al与Al2Cu共晶生长时,Al2Cu择优生长特征削弱,与α-Al耦合生长呈现非小面-非小面生长,表明Al2Cu在不同的生长阶段表现出的生长行为不同.在亚共晶组织中,初生相α-Al周围形成离异共晶的Al2Cu,而过共晶组织中初生相Al2Cu周围没有离异共晶的α-Al,表明初生相Al2Cu作为共晶层片核心的能力比初生相α-Al作为共晶层片核心的能力强. 相似文献
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SUNZhencui CAOWentian WEIQinqin WANGShuyun XUEChengshan SUNHaibo 《稀有金属(英文版)》2005,24(2):194-199
Hexagonal GaN films were prepared by nitriding Ga2O3 films with flowing ammonia. Ga2O3 films were deposited on Ga-diffused Si (111) substrates by radio frequency (r.f.) magnetron sputtering. This paper have investigated the change of structural properties of GaN films nitrided in NH3 atmosphere at the temperatures of 850, 900, and 950℃ for 15 min and nitrided at the temperature of 900℃ for 10, 15, and 20 rain, respectively. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to analyze the structure, surface morphology and composition of synthesized samples. The results reveal that the as-grown films are polycrystalline GaN with hexagonal wurtzite structure and GaN films with the highest crystal quality can be obtained when nitrided at 900℃ for 15 min. 相似文献
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