提高锌电积电流密度的研究

研究了电流密度６００Ａ／ｍ２情况下，影响锌电积过程的一些因素，重点控制电解液中的杂质浓度，可获得电流效率≥８９％，直流电耗＜３０５０Ｋｗｈ／ｔ的经济技术指标，电锌质量达到１＃或０＃的要求。     

电流密度和添加剂对镁合金电化学磷化膜耐蚀性的影响

电化学磷化可以快速获得磷化膜,提高镁合金的耐蚀性,目前就电化学磷化工艺条件对膜层的影响研究尚不深入。为此,采用扫描电镜和电化学方法研究了电流密度和添加剂对镁合金电化学磷化膜耐蚀性的影响。结果显示：电流密度为4．oA／din。时基础磷化液中所得磷化膜表面致密均匀,具有良好的耐蚀性;以0．5g／L酒石酸和5．Og／L磷酸二...     

硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性

采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征.测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值...     

Cu2O半导体薄膜在酸性条件下的电化学沉积

在酸性溶液中在透明导电玻璃(ITO)基体上电化学沉积Cu2O薄膜.通过实验研究了电沉积工艺条件对电沉积Cu2O薄膜的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析.结果表明,水浴温度较高时,酸性镀液中Ac-HAc共轭缓冲体系的反应速率提高,可以有效抑制铜单质的生长;镀液中铜离子的浓度...     

4H-SiC结型势垒肖特基二极管的制作与特性研究

本文设计制作了两种具有不同结构参数的4H-SiC结型势垒肖特基二极管,在制作过程中采用了两种制作方法：一种是对正电极上的P型欧姆接触进行单独制作,然后制作肖特基接触的工艺过程;另一种是通用的通过一次肖特基接触制作就完成正电极制作的工艺过程。器件制作完成后,通过测试结果比较了采用场限环作为边界终端与未采用边界终端的器件的反向特性,结果显示采用场限环有效地提高了该器件的击穿电压,减小了其反向电流。另外,测试结果还显示采用独立制作P型欧姆接触的工艺过程有效提高了4H-SiC结型势垒肖特基二极管的反向特性,其中P型欧姆接触的制作过程和结果也在本文中做出了详细叙述。     

高电流密度银电解新工艺的研究与应用

在现有银电解工艺的基础上,借鉴贵溪冶炼厂高电流密度铜电解生产经验,通过试验研究,确定了高电流密度(700A/m2)电解条件下电解液最佳组分、净化工艺、循环控制模式、搅拌方式等关键技术,自行设计出适合高电流密度生产的银电解槽,开发出具有自主知识产权的高电流密度银电解新工艺,电流密度由原来的350A/m2提高至700A/m2。     

不同电镀参数组合对电镀填孔效果影响研究

电镀填孔存在填孔爆发期,即在填孔爆发期内盲孔底部和面铜的电沉积速率之比逐渐达到最大值,其中电流密度对填孔爆发期以及爆发前后盲孔内外铜层的电沉积速率变化有较大影响,若能了解其规律可帮助优化电镀参数,以期望缩短电镀填孔时间,获得较好填孔效果。在不同电流密度及盲孔孔径下,电镀填孔不同时期(初始期、爆发期、末期)持续时间以及填孔过程中盲孔底部、面铜电沉积速率的变化规律,并在不同填孔时间段内使用不同电镀参数进行电镀填孔。研究表明:在电镀填孔不同时期采用不同电镀参数组合,能缩短电镀填孔时间,获得较好盲孔填平效果。     

电镀工艺主要参数对氨基磺酸镍镀层的影响

氨基磺酸镍由于沉积速度快,内应力低的特点,在电镀中得到广泛应用,为了解不同工艺参数对氨基磺酸镍镀层的影响,对电镀过程中的各个工艺参数进行了分析实验,得出了电导率、搅拌、电流密度、温度、pH和溶液中Ni＋2浓度、氯化物含量对电镀镍镀层质量的影响。     

电渗析脱盐分离发酵液中氨基酸的研究

在确定极限电流密度的前提下,测定了氨基酸盐溶液在电渗析过程中,不同淡水流速和浓度对脱盐率及氨基酸回收率的影响,得出了最佳操作参数。同时,通过模拟γ-氨基丁酸(GABA)发酵液的组成,分别配制了乳酸和葡萄糖模拟发酵液,从而测定了发酵液中其他物质的存在对电渗析过程的影响。