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31.
讨论了一种用于∑-△A/D转换器的固定系数半带(half-band)FIR数字滤波器,分析了其线性相位特性和低通滤波特性,给出了频率仿真结果,以及在Cadence设计系统中的电路和版图实现。  相似文献   
32.
基于对比折射法的三维静校正技术及其应用   总被引:7,自引:0,他引:7  
在地形起伏剧烈、速度和厚度横向变化大的地区,折射静校正技术的应用受到诸多限制,主要表现在不能准确地识别和拾取来自于地下连续地质界面的折射波,使得精确求取的长波长静校正量困难。为此,提出了一种基于对比折射法的三维静校正技术。介绍了这种静校正技术的方法原理和特点,基于对比折射法的折射波至拾取实质上是一个折射层的对比分析解释过程,因此能准确地拾取折射波至,精确地求解低速带的绝对延迟时;然后利用延迟时和近地表速度模型(等效,时深,空变)反演表层模型,最终一次性完成基准面静校正(包含低速带校正和高程校正)。在黄土塬、沙漠以及沙漠和山地的接合部等地区,利用基于对比折射法的三维静校正技术进行静校正处理,使资料的品质得到了明显改善,反射同相轴连续性好,信噪比和分辨率高,构造形态清晰可靠,提高了勘探精度。  相似文献   
33.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计   总被引:5,自引:2,他引:3  
张海清  章倩苓 《半导体学报》2003,24(11):1154-1158
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.  相似文献   
34.
由石油化工科学研究院,中国石化工程建设公司共同承担的”滴流床加氢反应器内构件——新型气液分配器和冷氢箱的研究”项目完成了中国石化科技开发合同规定的任务,于近日通过了中国石油化工股份有限公司科技开发部组织的技术审查。通过优化气液分配器以及冷氢箱的结构和关键尺寸,开发了三种适合不同气速场合的新型气液分配器和三种新型冷氢箱结构,大大改善了液体分配的均匀性和流体混合的均匀性。所开发的分配器和冷氢箱具有一定的创新性,具有自主知识产权。  相似文献   
35.
贾哲  郑翔 《电讯技术》2006,46(5):153-155
设计并实现了一种基于FPGA的四进制连续相位调制器(PCM)。该调制器的基带调制模块通过查表法实现,复杂度较低。仿真结果验证了设计的正确性。  相似文献   
36.
王健 《电波科学学报》2006,21(4):628-631
分析了新乡观测到的VLF相位周期滑移现象,研究了产生相位周期滑移的原因,揭示了相位周期滑移的实质:VLF传播相位周期滑移是发生在日出或日落过渡期间一种特殊的多模干涉现象,它是由传播路径昼夜分界处的低电离层不连续性所引起的模转换干涉所造成的.  相似文献   
37.
密码技术是信息安全的核心技术,其作用在于对文字、声音和图像等三类信息实行保密存储、保密传输、安全认证、身份鉴别和安全控制.由于光学系统具有高速并行处理能力以及可调制参量多等优点,将光学与现代密码学相结合,研究光学系统、理论和方法用于图像加密和解密,已成为一个非常重要的研究领域。  相似文献   
38.
长岭分公司炼油厂加工能力为0.8 Mt/a的延迟焦化装置经扩能改造后达1.2 Mt/a,该装置采用了一炉两塔、灵活调节循环比、双面辐射加热炉、大焦炭塔直径(φ8400 mm)以及水力除焦程序控制等技术和设备,实现了延迟焦化装置的大型化,其工艺和关键设备首次采用国内开发的技术。该装置的投产为炼厂扩大重油的加工能力发挥了重要作用。  相似文献   
39.
二单元DPCA在机载相控阵雷达AMTI中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
二单元偏置相位中心天线技术 (DPCA)在机载相控阵雷达自适应动目标指示 (AMTI)中占有重要地位 ,其原理在很多文献中都有讨论。文中主要提出了将二单元DPCA应用到机载相控阵雷达的具体方法和实验步骤 ,针对接收数据是M×N矩阵的情况 ,分析了数据降维变换的具体过程 ,并从仿真结果中得到有效性证明。该方法对DPCA在实际工程中的应用具有重要参考价值  相似文献   
40.
X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术,对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明,图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处,最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较,结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。  相似文献   
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