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用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺 总被引:1,自引:1,他引:0
用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 %的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒 相似文献
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W片二向色性角β测定中的两个问题 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论在测定W片二向色性角β的实验装置中的两个问题:W片的e轴与起偏器P_1透振方向间夹角θ偏离45°时引起的误差;起偏器P_1、检偏器P_2的消光比ρ对测量精度的影响。 相似文献