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41.
Ba—P复合变质对铝硅合金初晶硅的细化作用 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了钡、磷及钡磷复台变质对过共晶铝硅合金初晶硅的细化作用,发现钡变质可细化初晶硅的尺寸,同时使硅晶体由板块状改变为树枝状;磷变质可明显细化初晶硅,但对其形状因子改变不大;但磷复合变质综合了二者的优势。硅晶体表面有钡或钡的化合物的吸附,认为吸附抑制机制是钡变质的实质。 相似文献
42.
采用水热法,使用层状钛酸盐纳米线和氢氧化锶作为前驱物,在一定反应温度和反应时间的条件下简单地制备出了超细SrTiO3粉体。结果表明,只有在反应条件和反应物配比合适时才能得到纯的SrTiO3粉体。用X-射线粉末衍射仪和扫描电镜对SrTiO3粉体进行了表征。结果表明,所制备的SrTiO3粉体绝大部分为线状,长度约20μm,直径100~500nm。用接触角仪对所制备的SrTiO3粉体的亲疏水性进行了研究。结果表明,随着反应时间的延长,反应产物SrTiO3的纯度逐渐增加,由原来的完全亲水性转变为疏水性,接触角为36.820。 相似文献
43.
采用溶胶-凝胶法制备HZSM-5分子筛负载SrTiO_3,对其进行XRD、FTIR和N2吸附-脱附表征,研究负载对活性艳红X-3B光催化降解过程的影响。通过分析降解液的FTIR谱图、紫外-可见光谱和总有机碳(TOC)数据,对活性艳红X-3B的光催化降解过程进行了探讨。结果表明:催化剂的主要成分为钙钛矿结构SrTiO_3,负载对SrTiO_3晶粒尺寸几乎没有影响。纯SrTiO_3没有明显的孔结构,负载后样品的比表面积和孔隙主要由HZSM-5提供。负载之后催化剂的降解活性显著提高,30%SrTiO_3/HZSM-5对活性艳红X-3B染料溶液的脱色和TOC去除速率最快。 相似文献
44.
45.
采用溶胶-凝胶法制备HZSM-5负载SrTiO_3,对其进行XRD,SEM,BET,BJH和FT-IR表征,研究SrTiO_3/HZSM-5光催化降解活性艳红X-3B的活性。结果表明:SrTiO_3材料的主要成分为钙钛矿结构SrTiO_3,并含有少量SrCO3相。在负载型χSrTiO_3/HZSM-5样品中,SrTiO_3包覆在HZSM-5的外表面。负载型催化剂的比表面积主要由分子筛提供,材料中的孔径主要分布在2~20nm范围内。负载后SrTiO_3的光催化活性明显提高,30%SrTiO_3/HZSM-5具有最强的光催化活性。经90min光照后,93.8%的活性艳红X-3B在30%SrTiO_3/HZSM-5上降解,而在纯SrTiO_3上只能降解23.9%。 相似文献
46.
通过研究焰熔法生长钛酸锶单晶体过程中生长室内的温度分布特征,分析了H_2和O_2流量、喷嘴孔径对温度分布的影响。结果表明,采用焰熔法生长SrTiO_3晶体时,晶体熔帽表面温度和压力由中心逐渐向外降低;随着H_2流量的增加,中心轴向的最高温度的位置基本不变,晶体熔帽温度和晶体四周的最高温度逐渐升高,只是升高幅度有所减小;晶体熔帽温度、压力及晶体周围烟气温度随O_2流量增大而升高,而轴向最高温度则降低;增加喷嘴的中心孔径将使轴向最高温度、晶体熔帽温度和径向温度梯度降低,而喷嘴的H_2孔径对生长室内轴向和径向温度分布的影响不是很明显。 相似文献
47.
采用均匀设计法设计配方,研究了以SrTiO3为基料,掺杂PbTiO3,TiO2,Bi2O3对臭氧发生器用SrTiO3基陶瓷电极材料的介电常数,正切损耗,击穿电压,电阻率等电性能的影响,通过对实验结果进行回归分析表明了各掺杂料的比例与各电参数的关系,其中Bi2O3含量对材料性能的影响最大,优化结果表明,为了获得U>10Kv/mm,ε约100左右,thδ<0.01,ρ<1010Ω 材料,最适合的掺杂配方是:Bi2O31.40%,TiO20.30%,PbTiO3 0.30%和CeO20.50%。 相似文献
48.
金属锶及其化合物的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
金属锶及其化合物的应用1前言1808年,英国化学家戴维通过电解法,首次从碳酸锶矿中提取了纯净的金属锶后,锶及其化合物就逐渐得到广泛应用。锶在地壳中并不十分稀有,含量是金、银的6万倍和3万倍,主要以天青石的形式存在,其次是菱锶矿。2金属锶的特性及应用锶... 相似文献
49.
50.
低温烧结Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶法制备了Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷粉体,并烧结成瓷。探讨了玻璃介质对BST陶瓷密度、烧结温度和介电性能的影响,利用扫描电子显微镜(SEM)、自动元件分析仪测试了BST陶瓷的显微结构和介电性能。研究结果表明,添加Dy-B-Si-O系玻璃介质降低了陶瓷烧结温度,提高了陶瓷致密度;随着Dy-B-Si-O系玻璃介质中Dy2O3组分含量的增加,介电常数增大;介电损耗先增大后减小,介电损耗最小值约为0.01,可满足在电压可调电容器上的使用要求。 相似文献