复合材料胶接修补飞机金属结构技术的研究进展及关键技术

在修补含裂纹损伤的飞机金属结构和老龄化飞机延寿方面,复合材料胶接修补飞机金属结构是一门实用有效的技术.主要介绍了该技术的操作流程和关键技术,以及国内外该领域内近10年来在理论和实验方面的研究动态.     

碳酸钙高填充聚对苯二甲酸己二酸丁二醇酯可降解复合材料的制备及性能表征

以生物降解塑料聚对苯二甲酸己二酸丁二醇酯(PBAT)为基材,以50%表面改性的CaCO3为填充物制备出具有较好吹膜性能的可降解高填充复合材料。研究结果表明,随着CaCO3添加量的增加,CaCO3/PBAT复合材料的拉伸性能出现先提高后降低的趋势,而偶联剂KH560以及增溶剂ADR的使用则可以明显提高CaCO3/PBAT(50%)复合材料的拉伸性能,且在偶联剂使用量为2.0%,增容剂为1.0%时,复合材料的拉伸性能达到最佳,CaCO3/PBAT(50%)薄膜制品的横向拉伸强度可达20.10 MPa,纵向拉伸强度可达21.73 MPa,横向断裂伸长率为648%,纵向断裂伸长率为528%,熔融指数为1.58 g/10min。通过SEM对薄膜表面进行观察,发现CaCO3分布均匀,完全被PBAT浸润包覆。复合材料满足市场包装材料的力学性能要求,大幅度降低了PBAT的使用成本,具有良好的应用前景。     

基于参数化模型的高高空浮空器飞行机理研究

建立了高高空浮空器的参数化非线性模型和参数化线性模型.采用牛顿-欧拉方法建立了系统非线性动力学模型,并考虑了风对飞行器的作用.基于非线性模型分析了风和飞行高度对浮空器动力学的影响.通过小扰动方法进行了模型线性化;考虑到浮空器的飞行速度较低、易受风的影响,对动压进行了线性化;基于线性化模型进行了系统的耦合特性分析和稳定性...     

稀土CeO_2对AlCoCuFeMnNi高熵合金组织与性能的影响

采用等离子熔覆技术,在45钢基体上制备添加稀土CeO_2的AlCoCuFeMnNi高熵合金涂层。利用XRD,SEM和EDS研究涂层的显微组织和相组成,并测试其显微硬度和磨损性能。结果表明:合金涂层主要由BCC枝晶和FCC枝晶间组织构成。热力学计算表明,未添加稀土CeO_2的涂层中有少量AlCoNi相,而且其枝晶内析出了大量富Fe颗粒,涂层硬度值在260~420HV0.2间呈梯度变化,摩擦因数在0.16~0.57之间。添加1%(质量分数)的稀土CeO_2后,基体中Fe元素向涂层内部的扩散程度降低,涂层底部形成一条宽约32μm的富Fe胞晶过渡层,涂层硬度在400HV0.2左右,摩擦因数稳定在0.28~0.31之间,磨损量为添加前的74.4%,细晶强化是涂层磨损性能提高的主要原因。     

高应力岩巷的控制爆破机理与技术

通过分析研究矿井深部岩巷的高应力分布特征,采用动光弹模型试验对不同应力条件下的爆破作用机理进行了探讨;通过现场试验,提出了适用于高应力岩巷掘进的控制爆破设计与施工技术。     

ETOPS航班运行

etops（extended-range twin-engine operational performance standards）双发延程运行,是国际民航管理机构专门为了保证双发民航飞机安全飞行而提出的一项特别的要求。当双发飞机的一台发动机或主要系统发生故障时,要求飞机能在剩余一台发动机工作的情况下,在规定时间内飞抵最近的备降机场（改航机场,diversion airport）。     

基于FPGA设计的图象的快速目标提取

针对高帧频电视系统的特点,应用现场可编程门阵列（ＦＰＧＡ）构造图象ｙ阈值分割算法,完成数字电视的分段背景拟合,接合外部高速ＤＳＰ产生自适应域值．实现了高帧频电视系统全视场的在线数字图象分割．仿真实验结果证明是可行的．     

两座90m高冷却塔控制爆破拆除

介绍了复杂环境下采用控制爆破拆除技术成功爆破拆除两座90m高冷却塔的工程实例。通过在倒塌方向塔身布置10m高卸荷槽和三角形定向窗组成的复合切口,并对预处理后冷却塔稳定性进行校核,确定合理的爆破参数和起爆网路,仅对24对人字柱实施爆破拆除,实现了冷却塔边倾倒边解体。同时采取开挖减振沟和铺设缓冲垫层等安全防护措施,使冷却塔倒塌触地振动得到有效控制,取得了理想的爆破效果,可为同类工程提供参考。     

微量稀土对Cu-Ag接触线性能的影响

接触线(又称电车线)是电气化铁路接触网的主要元件。随着电气化列车向高速、重载的发展。对接触线提出了高强度、高导电、耐高温等多方面性能上的更高要求。本文研究了稀土对电气化铁路用接触线Cu-0．1Ag的强度、硬度、导电性和耐高温性等的影响。结果表明：微量稀土元素的加入可以提高银铜接触线的强度、硬度和耐热性．强度可达470MPa．相对于银铜接触线提高了73MPa；而对银铜接触线的导电性影响很小。     

EXO3晶振与KSS晶振在高过载下的失效特性分析

为了研究芯片抗高过载能力,本实验选取两种典型晶振芯片:EXO3、KSS,利用Hopkinson杆对其进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度,并用运力学模型对其内部结构进行分析。结果表明:晶振的内部结构直接影响它的抗冲击性能;与应力波传播方向平行放置的晶振抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的晶振。