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溶液反应法制取钛酸钡 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了溶液反应法制取钛酸钡(BaTiO3)的工艺,对主要的工艺条件进行了探讨,并用BaTiO3微粉制备了PTC陶瓷和压电点火陶瓷,测试了有关电性能。结果表明,这种BaTiO3微粉具有纯度高、结构均匀、组成准确的特点。PTC陶瓷和压电陶瓷都具有较好的性能。 相似文献
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Aluminum nitride and oxy-nitride thin films have been deposited on Si(100) substrates at temperatures of 300-350K by gas-phase
excimer laser photolysis at 193 nm. The precursors used for this deposition process are trimethylamine alane and ammonia.
The properties of these laser-deposited films were studied using scanning electron microscopy, energy dispersive x-ray analysis,
and x-ray diffraction. X-ray photoelectron spectroscopy has been extensively used to provide information regarding the chemical
compositions on the surface and in the bulk of these laser deposited films, as well as on the chemical states of the components
of the films. Well-adhering, smooth, amorphous films of AlN are obtained at a substrate temperature of 350K using this technique. 相似文献
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采用机械球磨法,以Al(H2PO4)3和H3PO4为改性剂,制备了具有较高抗水解能力的AlN粉末,研究了改性AlN粉末在水基球磨过程中的稳定性。通过XRD,FT-IR,SEM,TG-DSC和氮含量测定对改性前后AlN粉末进行了表征。改性AlN粉末在60℃水中浸泡24h后,其w(N)为32.97%,且其XRD谱中未发现Al(OH)3相,其抗水解能力得到显著提高。改性AlN粉末在水中高速球磨16h后,其w(N)约为32%,AlN悬浮液的pH值约为6,说明改性AlN粉末在水中球磨过程中具有较好的稳定性。 相似文献
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在催化剂氯化铵的作用下,将高能球磨机械活化后的工业铝粉置于空气中自燃,制备出了AlN质量分数约为80%的AlN-Al2O3复合粉体。通过对原始铝粉和球磨铝粉的形貌进行对比分析,探讨了球磨对铝粉的机械力化学效应。借助XRD和扫描电镜分析了燃烧产物的物相、形貌和结构,结果表明,生成的AlN颗粒主要集中于燃烧产物中心部,粒径为2μm;生成的Al2O3颗粒则主要分布于燃烧产物外表面,粒径为100nm。 相似文献
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超声分散技术在制备小颗粒(Y,Gd)BO_3∶Eu~(3+)粉体中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
采用共沉淀法结合超声分散技术制备亚微米级红色荧光粉(Y,Gd)BO3∶Eu3+,研究了超声时间对离子混合及沉淀过程的影响,以及进而对粉体性能的影响。采用红外光谱(IR)、扫描电子显微镜(SEM)、粉末X射线衍射(XRD)、PDP真空紫外荧光粉测试系统对荧光粉的组成、结构与光学性能等进行表征,结果表明:(Y,Gd)BO3∶Eu3+中[BO3]基团中B原子以四配位为主,同时混有三配位,主体基质YBO3以六方碳钙石结构存在,空间群为P63/mmc(194),晶胞参数a=3.778,c=8.814;在离子混合和沉淀过程中经过超声分散制备的粉体与未经超声分散制备的粉体相比较,相对发光强度提高,色坐标红移(x=0.6392,y=0.3604→x=0.6422,y=0.3575),红橙比(626nm/592nm)提高12%,粒径细小,颗粒形貌均匀,分散性良好。 相似文献
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文章研究了AlN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与AlN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长AlN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的AlN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出AlN薄膜的(002)和(105)的半高宽分别为16.9arcsec和615arcsec,接近国际上报道的较好结果。原子力显微镜对表面形貌的分析表明AlN薄膜的粗糙度为5.7nm。拉曼光谱表明E2(high)模向高能方向移动,说明蓝宝石上外延的AlN薄膜处于压应变状态。光学吸收谱在204nm处具有陡峭的带边吸收,也表明了AlN外延薄膜具有较好地晶体质量。 相似文献
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