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排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
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基于蚁群优化的SVM及其应用研究 总被引:2,自引:2,他引:0
针对蚁群算法的容易陷入局部最优解的问题,对连续蚁群算法的全局转移因子和挥发因子进行了改进.在搜索过程中,蚂蚁利用前一代最优解的位置及信息素强度决定最优解转移步长及概率,对每一代搜索过程,利用动态的全局转移因子来确定蚂蚁应该进行如何搜索,保证蚂蚁能够得到更多的搜索空间,解决了蚁群算法"早熟"的现象.利用优化后的支持向量机(C-SVR和C-LSSVM)建立了某型航空发动机起动过程的数学模型.通过实际的发动机数据对模型的有效性进行了验证,结果表明,C-SVR和C-LSSVM泛化性能优于ε-SVR和LSSVM. 相似文献
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采用交联改性的方法对较低分子量的乙烯基硅橡胶进行了改性研究,制备了高通量的富氧膜,结合单因素实验法和Design-expert正交实验设计,考察了原料配比、交联反应时间、固化温度和固化时间等因素对富氧膜性能的影响,确定了最佳富氧性能膜的制备条件:原料配比4.3,反应时间2.15h,固化温度86.25℃,固化时间1.75h;获得了富氧浓度为28.68%,透气量为4696.33 barrer的富氧膜,该膜的富氧浓度与常规商品化膜相当,透气量为常规商品化膜的2~4倍,有应用于发动机富氧进气系统的前景。通过扫描电镜检测、机械性能检测等手段对复合膜进行了进一步表征。 相似文献
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搜索引擎的发展给我们的工作和生活带来了便利,同时给我们的个人信息安全带来了威胁。该文从搜索引擎的原理出发,简要分析了个人信息泄露的途径,并提出了避免信息泄露的思路和方法。 相似文献
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Genetic adaptive state estimation 总被引:1,自引:0,他引:1
James R. Gremling Kevin M. Passino 《Engineering Applications of Artificial Intelligence》2000,13(6):611-623
A genetic algorithm (GA) uses the principles of evolution, natural selection, and genetics to offer a method for parallel search of complex spaces. This paper describes a GA that can perform on-line adaptive state estimation for linear and nonlinear systems. First, it shows how to construct a genetic adaptive state estimator where a GA evolves the model in a state estimator in real time so that the state estimation error is driven to zero. Next, several examples are used to illustrate the operation and performance of the genetic adaptive state estimator. Its performance is compared to that of the conventional adaptive Luenberger observer for two linear system examples. Next, a genetic adaptive state estimator is used to predict when surge and stall occur in a nonlinear jet engine. Our main conclusion is that the genetic adaptive state estimator has the potential to offer higher performance estimators for nonlinear systems over current methods. 相似文献
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本文提出了一种既便于自动求值,又不致产生歧义的色谱分离优化目标函数。对于反相高效液相色谱RP-HPLC流动相组成优化问题,提出了新的高效迭代方法,并建立了组成优化专家系统。该系统包括优化搜索区域确定、实验谱图辨识、保留特性关系的自适应回归和最优目标预测等功能。经实验验证,该系统具有较高的迭代搜索效率。 相似文献
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This paper describes the Si-doping of GaAs that was grown using the AsCl3:H2:GaAs, Ga Chemical vapor deposition process. The doping sources were AsCl3:SiCl4 liquid solutions which proved to be highly reproducible for Si doping within the range, 1×1O16 to 2×1019 cm?3. Incorporation of Si into the GaAs apparently occurs under near equilibrium conditions. This point is considered in detail and the consequences experimentally utilized to grow n, n+ bilayers using a single AsCl3:SiCl4 doping solution. Si impurity profiles based upon differential capacitance and SIMS data are presented. These can be very abrupt for n, n+ structures with order of magnitude changes occurring within 500 Å. For the 1×1016 to 8×l018 cm?3 doped samples the mobilities at 78 and 298°K are comparable to the higher values reported for GaAs thin films grown by CVD. Power FET devices made from this material have demonstrated an output density of 0.86 watts/mm at 10 GHz. 相似文献
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S. Bazzarri G. Cicoli P. De Felice G. Rossi F. Sedda 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment》2006,560(2):640-642
Experimental tests are described to check solid 241Am radioactive sources used to monitor operation of liquid xenon detectors. In particular, radioactive leakage was tested in extreme temperature conditions following immersion in liquid nitrogen for different time periods. No radioactivity loss was detected from the sources considered. The paper describes the source characteristics, test methods and results obtained. 相似文献
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