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41.
42.
在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。 相似文献
43.
This paper introduces a 9-bit time-based capacitance-to-digital converter (T-CDC). This T-CDC adopts a new design methodology for parasitic cancellation with a simple calibration technique. In T-CDCs, the input sensor capacitance is first converted into a delay pulse using a capacitance-to-time converter (CTC) circuit; then this delay signal is converted into a digital code through a time-to-digital converter (TDC) circuit. A prototype of the proposed T-CDC is implemented in UMC 0.13 μm CMOS technology. This T-CDC consumes 8.42 μW and achieves a maximum SNR of 45.14 dB with a conversion time of 1 μs that corresponds to a figure of merit (FoM) of 16.4 fJ/Conv. 相似文献
44.
本文主要介绍了DELIXI变频器RS-485通讯功能在浙江萧山某纺织公司空压机站活塞式空气压缩机(以下简称“空压机”)上的节能改造应用过程和RS-485通讯网络的构成,并且给出了用户在现场遇到的各种难题解决方案。从中叙述了变频器的外围设备对恒压供气系统的传动性能、稳定性、可靠性等质鬣指标所起到的作用,并指出了变频器技术服务的重要性。 相似文献
45.
文章介绍了不锈钢压力传感器管座的关键技术和工艺,对管座设计和工艺过程中易出现的难题进行了分析并给出了实现方法及其结果。这种管座在抵御10000PSI的高压下仍能保证高可靠的密封性能,因而适用性特别强。 相似文献
46.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
47.
矿用自卸车启动气路保压探讨 总被引:2,自引:2,他引:2
对矿用自卸车在不同环境温度下,启动气路的压力损失进行了分析研究,得出了柴油机不能正常启动的缘由,并提出了启动气路保压的合理化建议。 相似文献
48.
本文采用PCT试验方法SD13005型NPN高反压大功率晶体管进行了加速寿命试验,发现BVce0是其退化的最敏感参数。并利用自行研究开发的《微电子器个可靠性指标数据处理计算机软件》对试验数据进行统计分析,得知该的失效分布符合威布尔分布,同时评估了不同应力下产品的可靠性寿命特征,外推出100%相对湿度时,曙下该产品的寿命特征。 相似文献
49.
基于脉宽调制技术的温度测控仪 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了一种采用全数字式脉宽调制技术的温度压力测控仪的设计要点,包括一种新颖的电压脉宽转换器,PWM控制输出接口,软件智能控制算示等的原理及设计。该仪器具有学习与自修正功能,使用中无需人工调节控制参数,经过长期运行表明,该仪器具有很好的测控精度和很高的可靠性。 相似文献
50.
Henry Berger 《Microelectronic Engineering》1991,10(3-4):259-267
A survey is given of the BOC Group technical research programs, whose purpose is to relate purity in gas processing to ULSI device parameters. Results from the following research programs are presented: how inert gas purity affects the Ti silicide for IGFET metallization; the effects of argon versus nitrogen used in silicon gate oxidation process steps; and preliminary work on a new gas analytical tool, Atmospheric Pressure Ionization Mass Spectrometry (APIMS), which allows measurement of sub ppb impurity levels in processing gases. 相似文献