混酸冲洗滤盘的可行性

湿法磷酸生产中，均以水为介质冲洗倾覆盘式真空过滤机的滤盘，为实现系统的污水零排放，提高倾覆盘式真空过滤机的生产能力，提出以回磷酸和硫酸配制成混酸去冲洗滤盘的方法。分析了采用该方法的诸多优点及注意事项，指出安全生产问题须认真落实。     

浮法硼硅酸盐玻璃下表面渗锡的研究

根据实验样品的成分,制定一定的浮法成型的温度制度,采用自制小型石墨锡槽,模拟硼硅酸盐玻璃的浮法成型过程,用电子探针结合能谱仪,测试浮法硼硅酸盐玻璃在1250~650℃温度范围内不同温度段下表面渗锡的分布情况,研究硼硅酸盐玻璃不同于传统钠钙硅浮法玻璃的渗锡特点。研究结果表明,在特定的浮法工艺制度下,硼硅酸盐玻璃渗锡的深度达到40μm左右,并且高温段锡离子以纵向深度扩散为主,低温下锡离子主要在玻璃的近表面富集。在浮法成型的过程中,渗锡的分布曲线上会出现卫星峰,但是最终在出锡槽的温度下渗锡曲线是单调递减的。     

高速机车车辆的车轴数字化超声波探伤系统

针对高速机车车辆车轴的超声波探伤提出一种新的超声波探伤方案．将组合探头装置安装在车轴的端面上,用机油作耦合剂,准确定位,保证探头在扫查时超声波主声束始终穿过车轴的中心线,使主声束与裂纹相交,便可对车轴进行探伤．该系统检测机车车轴具有准确度高,精度高,效率快的特点．     

基于SKO—KPCA和SVM的雷达目标HRRP特征提取与识别

将依赖数据变化的自适应SKO技术和迭代算法引入KPCA算法中,结合SVM分类技术,提出了基于SKO—IKPCA和SVM的雷达目标HRRP特征提取与识别方法。讨论了HRRP预处理、迭代KPCA算法和SKO／FKO技术的实现方法,将SKO／FKO技术应用到KPCA的核优化中,并用人工合成数据对其优化性能进行了测试与比较,应用该方法对su-27、F-16及M2000等三类飞机目标的实测HRRP数据进行了特征提取与识别实验。结果表明,所提方法具有较好的稳定性和可靠性,能有效地优化雷达目标主元特征的提取,提高目标的识别性能。     

结合浮动车技术的SCATS自适应控制策略生成技术

针对SCATS信号控制系统存在的两个问题:相位差实时优化能力差和备选方案固化,尝试结合浮动车技术研究了SCATS自适应控制策略生成技术。通过改进地图匹配算法,提高浮动车路段行程时间估计精度,从而提高相位差实时优化能力以及模型的输入数据精度。同时根据实时的检测器数据和浮动车数据,采用模糊神经网络以及多属性决策技术自适应生成控制区域交叉口的配时参数。最后,以上海某SCATS控制区域为仿真路网,以SCATS采集的检测器数据及浮动车数据为仿真输入数据,以Paramics V6为仿真平台对本文模型进行验证,结果表明能够提高系统的控制效率。     

基于扫描探针显微镜的几种洋酒AFM扫描图

在扫描探针显微镜的AFM扫描图中,国产白酒所含呈香呈味微量物质形成了聚集的颗粒状微观形态。为了观察洋酒微观形态,文章采用扫描探针显微镜对伏特加,白兰地,威士忌和配制酒做了扫描,得到这四种酒的AFM扫描图。从图中观察到了这四种酒的微观形态。     

一种共聚焦激光测头轴线位置标定方法研究

针对在非接触式坐标测量机上所用激光测头轴线位置需要标定这一工程需要,通过测量标准圆弧,提出了一种最小距离评价方法,该方法在评价函数取得极小值的时候可以有效标定激光测头轴线的初始参考零位。实验结果验证了该方法的有效性与可靠性。     

树枝状荧光探针设计制备及荧光特性初步研究

树枝状荧光探针是将荧光染料引入树枝状化合物（dendrimer）端基的一类化合物,具有良好的稳定性及光谱特性．笔者以2,2-二甲氧基乙胺为核,采用发散合成法合成了一端含活性氨基的扇形树枝状化合物,并将羧基噻唑橙染料（TO—COOH）引入树枝状化合物的端基,制备出树枝状荧光分子．初步研究了其荧光特性,讨论了反应温度、反应时间等条件对反应收率的影响．     

Multi-channel micro neural probe fabricated with SOI

Silicon-on-insulator(SOI) substrate is widely used in micro-electro-mechanical systems(MEMS).With the buried oxide layer of SOI acting as an etching stop,silicon based micro neural probe can be fabri-cated with improved uniformity and manufacturability.A seven-record-site neural probe was formed by inductive-coupled plasma(ICP) dry etching of an SOI substrate.The thickness of the probe is 15 μm.The shaft of the probe has dimensions of 3 mm×100 μm×15 μm with typical area of the record site of 78.5 μm2.The im...