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Resistive Switching: Coexistence of Grain‐Boundaries‐Assisted Bipolar and Threshold Resistive Switching in Multilayer Hexagonal Boron Nitride (Adv. Funct. Mater. 10/2017)
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送粉式激光熔覆获得最佳熔覆层的必要条件及其影响因素 总被引:24,自引:1,他引:24
在分析自动送粉式激光熔覆过程中熔覆材料颗粒加入方式及其在激光束中的行为的基础上,建立热平衡方程,推导出反映熔覆过程实际情况的参数:熔覆材料颗粒尺寸、在激光束中运动距离、加热温度、激光功率密度之间的相互关系式等。指出在自动送粉式激光熔覆中能够获得最佳熔覆层的必要条件是:熔覆材料颗粒进入激光束后直到其落到基体材料表面之前,必须始终在激光束中。激光束沿着扫描方向必须有足够的宽度是满足上述条件的关键,同时提出其计算方法及公式,并阐明获得最佳熔覆层的工艺参数之间的匹配原则 相似文献
45.
The diffusivity of boron in silicon dioxide may be increased by the introduction of hydrogen into the annealing atmosphere.
In this paper we report on the diffusion characteristics of boron ion-implanted into thermally grown SiO2. A sensitive technique was used in which the boron atoms redistributed into the substrate are characterized by electrical
methods. The diffusivity of boron in thermal SiO2 was measured over the temperature range of 950-1150°C with hydrogen partial pressure from 0 to 0.2 atm. It was found that
the diffusion coefficient of boron in oxide at 1150° C increases as the square root of the hydrogen partial pressure. At fixed
pressure the temperature dependence of the diffusion coefficient obeys a single-activation-energy exponential rule. At 0.1
atm partial pressure of H2 the activation energy is 3.0 eV and the preexponential factor is 6 x 105 [cm2/sec.]. 相似文献
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47.
48.
硼对烤烟生长及养分吸收的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
在溶液培养条件下,研究了不同B033-浓度对烤烟生长和养分吸收的影响.结果表明,营养液中B033-浓度为0 50-2.00mg/L的各处理烤烟的株高和干物质的积累量高于其他3个处理.不同B033-浓度下烤烟各器官对钾的吸收最多,氮次之,磷最少.BO33-浓度为0 50-2.00mg/L的各处理,烤烟各器官对氮磷钾的吸收量明显高于其他处理.缺硼(BO33-<0 50mg/L)或硼浓度过高(BO33≥200mg/L)时都会抑制烤烟的生长发育、干物质和养分的积累. 相似文献
49.
硼改性微粒硅溶胶的助留助滤试验 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了剪切力和CPAM、阳离子淀粉、硼改性硅溶胶用量对硼改性硅溶胶与阳离子淀粉或CPAM组成不同助留助滤体系的助留助滤效果的影响;同时研究了硫酸铝用量、pH值及电解质用量对助留助滤效果的影响.研究结果发现:阳离子淀粉/硼改性硅溶胶微粒助留体系的抗剪切能力优于阳离子淀粉一元助留体系.阳离子聚合物/硼改性硅溶胶微粒助留助滤体系的助留助滤效果优于一元助留助滤体系,同时大大地改善了纸页的匀度.阳离子淀粉/硼改性硅溶胶微粒助留助滤体系在pH值4~8时,以及在松香施胶体系中硫酸铝用量≤3%时较为适用,该体系抗电解质干扰能力强. 相似文献
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