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131.
The meta-stable dip (MSD) effect is demonstrated and characterized in SOI FinFETs. With ascending scan of front-gate voltage (VG1), the magnitude of drain current (ID) tends to be fixed within a specific region of the front-gate voltage and this leads to a dip of transconductance (gm). The dip width can be modulated through a control of bias condition or measurement speed such as back-gate voltage (VG2), drain voltage (VD) and step size of the front-gate voltage. From the dual-gate transient measurement, it is found that the MSD effect is highly dependent on the floating-body effect. In SOI FinFETs, the MSD effect is significantly affected by the fin width due to the fringing electric field of the lateral gates.  相似文献   
132.
提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25 μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度.  相似文献   
133.
为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力.  相似文献   
134.
唐莹  刘肃  李思渊  吴蓉  常鹏 《半导体学报》2007,28(6):918-922
提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.  相似文献   
135.
提出了中间段光折变晶体材料参数的测量原理。利用公开报道的关于Ce:KNSBN双光束耦合的实验数据计算了该晶体的材料参数。实验与理论结果相吻合。  相似文献   
136.
干涉SAR成像中地形高度估计及基线估计方法的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文在地形高度估计及基线估计等方面作了一些研究,提出了一种SAR成像地形高度估计方法和一种基线估计方法。本文首先讲述了如何将干涉相位差转换成地形高的方法。通过模拟实验分析了地球的曲面效应对星载SAR地形高度估计的影响.利用该方法能提高高度估计精度并且不需考虑去除平地效应。本文还给出了一种利用地面定标点估计基线参数的方法,通过模拟实验表明,在一定条件下我们能得到比较满意的结果。  相似文献   
137.
本文提出了将Gauss-起伏,Gauss-相关的一维随机粗糙散射表面近似成连续三角槽型的面型分布的数值分析方法;通过粗糙度值、高度概率密度分布函数及相关函数等诸参量的模拟统计分析,验证了此方法的可靠性;给出了此方法在解决起伏剧烈的大粗糙度随机表面上形成的散射场分布之数值模拟计算方面的应用前景。  相似文献   
138.
To achieve semiconducting materials with high electron mobility in organic field‐effect transistors (OFETs), low‐lying energy levels (the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO)) and favorable molecular packing and ordering are two crucial factors. Here, it is reported that the incorporation of pyridine and selenophene into the backbone of a diketopyrrolopyrrole (DPP)‐based copolymer produces a high‐electron‐mobility semiconductor, PDPPy‐Se. Compared with analogous polymers based on other DPP derivatives and selenophene, PDPPy‐Se features a lower LUMO that can decrease the electron transfer barrier for more effective electron injection, and simultaneously a lower HOMO that, however, can increase the hole transfer barrier to suppress the hole injection. Combined with thermal annealing at 240 °C for thin film morphology optimization to achieve large‐scale crystallite domains with tight molecular packing for effective charge transport along the conducting channel, OFET devices fabricated with PDPPy‐Se exhibit an n‐type‐dominant performance with an electron mobility (μe) as high as 2.22 cm2 V?1 s?1 and a hole/electron mobility ratio (μhe) of 0.26. Overall, this study demonstrates a simple yet effective approach to boost the electron mobility in organic transistors by synergistic use of pyridine and selenophene in the backbone of a DPP‐based copolymer.  相似文献   
139.
青滔 《电讯技术》2020,(2):239-244
多径效应在机载天线的外场测试中会严重影响测试精度。针对该问题,提出了一种能够消除多径误差且简单易行的测试方法。该方法考虑多径信号的产生机理和矢量叠加原理,对直达和反射信号的组合进行测试,通过数据处理得出直达波信号强度,用于天线增益和方向图计算。利用该方法对机载VHF/UHF天线开展了外场测试,测试结果与仿真曲线吻合良好,证明了该方法的有效性。该测试方法可用于机载航电系统的总体设计与试验验证工作。  相似文献   
140.
根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。  相似文献   
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