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The meta-stable dip (MSD) effect is demonstrated and characterized in SOI FinFETs. With ascending scan of front-gate voltage (VG1), the magnitude of drain current (ID) tends to be fixed within a specific region of the front-gate voltage and this leads to a dip of transconductance (gm). The dip width can be modulated through a control of bias condition or measurement speed such as back-gate voltage (VG2), drain voltage (VD) and step size of the front-gate voltage. From the dual-gate transient measurement, it is found that the MSD effect is highly dependent on the floating-body effect. In SOI FinFETs, the MSD effect is significantly affected by the fin width due to the fringing electric field of the lateral gates. 相似文献
132.
提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25 μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度. 相似文献
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本文提出了将Gauss-起伏,Gauss-相关的一维随机粗糙散射表面近似成连续三角槽型的面型分布的数值分析方法;通过粗糙度值、高度概率密度分布函数及相关函数等诸参量的模拟统计分析,验证了此方法的可靠性;给出了此方法在解决起伏剧烈的大粗糙度随机表面上形成的散射场分布之数值模拟计算方面的应用前景。 相似文献
138.
Qian Liu Shohei Kumagai Sergei Manzhos Yingqian Chen Indunil Angunawela Masrur Morshed Nahid Krishna Feron Steven E. Bottle John Bell Harald Ade Jun Takeya Prashant Sonar 《Advanced functional materials》2020,30(34)
To achieve semiconducting materials with high electron mobility in organic field‐effect transistors (OFETs), low‐lying energy levels (the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO)) and favorable molecular packing and ordering are two crucial factors. Here, it is reported that the incorporation of pyridine and selenophene into the backbone of a diketopyrrolopyrrole (DPP)‐based copolymer produces a high‐electron‐mobility semiconductor, PDPPy‐Se. Compared with analogous polymers based on other DPP derivatives and selenophene, PDPPy‐Se features a lower LUMO that can decrease the electron transfer barrier for more effective electron injection, and simultaneously a lower HOMO that, however, can increase the hole transfer barrier to suppress the hole injection. Combined with thermal annealing at 240 °C for thin film morphology optimization to achieve large‐scale crystallite domains with tight molecular packing for effective charge transport along the conducting channel, OFET devices fabricated with PDPPy‐Se exhibit an n‐type‐dominant performance with an electron mobility (μe) as high as 2.22 cm2 V?1 s?1 and a hole/electron mobility ratio (μh/μe) of 0.26. Overall, this study demonstrates a simple yet effective approach to boost the electron mobility in organic transistors by synergistic use of pyridine and selenophene in the backbone of a DPP‐based copolymer. 相似文献
139.
多径效应在机载天线的外场测试中会严重影响测试精度。针对该问题,提出了一种能够消除多径误差且简单易行的测试方法。该方法考虑多径信号的产生机理和矢量叠加原理,对直达和反射信号的组合进行测试,通过数据处理得出直达波信号强度,用于天线增益和方向图计算。利用该方法对机载VHF/UHF天线开展了外场测试,测试结果与仿真曲线吻合良好,证明了该方法的有效性。该测试方法可用于机载航电系统的总体设计与试验验证工作。 相似文献
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