高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器

第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.     

高抑制比背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器研究

利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。     

高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器

第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.     

秒杀背照式三星推ISOCELL手机传感器

除了不断升级的处理器“核战”外,相机也是手机制造商们的另一片重要战场。随着厂商们争先恐后地将相机性能作为其旗舰手机的宣传重点时。三星半导体部门最近使出了“杀招”,这家韩国公司刚刚宣布了其最新的ISOCELL传感器技术,     

效果更好，背照式相机你买吗？

在沉寂多年之后,在像素值之争已经无法打动观众的眼球之后,相机界终于迎来了又一次大革命——背照式相机大量上市。与普通相机相比,背照式相机有着很多的优势。各大相机厂商．都开始推出背照式的相机。但是,这贷值得购买吗？     

答疑

新开始、新起步——大尺寸背照式CMOS前景看好 前不久索尼发售了两款大底便携数码相机——PX100 Ⅱ和RX1R，它们都是旧作的升级版。从整体参数看，两款新黑卡相机升级都不算特别巨大，其中全画幅的RX1R甚至只能看做是RX1取消低通滤镜的姊妹机型而非换代产品。     

基于CPLD的面阵CCD驱动

为实现对面阵CCD的驱动,采集实时图像,设计了电源驱动和数据转换系统。系统采用复杂可编程逻辑器件（CPLD）对一款薄型背照式面阵CCD进行驱动。使用Verilog硬件描述语言（HDL）编写CPLD控制模块,控制CCD的信号采集、信号转移和信号传输。根据CCD的数据手册,设计CCD所需的电源,以便对其进行驱动。利用A/D芯片中的相关双采样（CDS）特点,对输出的视频信号进行处理,过滤视频信号中的复位噪声和1/f等低频噪声,提高系统的信噪比。该系统采用CPLD作为核心控制器件,充分利用了CPLD高速并行且"可编程"的特点,和CCD对环境变化的高度敏感,使得信号采集和传输的速率均较快,且输出视频信号稳定。     

基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备

对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍.通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电流特性优良,获得了超高雪崩增益的GaN紫外雪崩探测器.     

全球最薄智能手机问世

AscendP1S凭借6．68毫米的机身成为目前全球最薄的双核智能手机     

一种用于优化小尺寸背照式CMOS图像传感器满阱容量与量子效率的新型光电二极管结构

为改善小尺寸背照式CMOS图像传感器像素单元满阱容量不足缺点,本文基于提高光电二极管电容的角度,提出了一种通过改变光电二极管结构来提升满阱容量的新方法。该结构优化由两步实现。第一步,通过在传统光电二极管N型区域下额外注入高能量、低剂量N型掺杂,形成一个浓度渐变,深度扩展的新光电二极管N型区。这种光电二极管的满阱容量将因侧壁结电容的扩展而显著提高;第二步,为了帮助扩展的阱容量实现全耗尽,一个由两步不同能量的P型杂质形成的P型插入区被嵌入到深度得以扩展的光电二极管N型区域内。这个纵向插入的P型插入区保证了该光电二极管结构可以在复位完成后实现电子的全耗尽。仿真结果显示,像素单元满阱容量可以由初始的1289e- 提升到6390e-,且该阱容量扩展技术不会以恶化图像拖尾为代价。除此之外,量子效率在全波段下均得以提升,尤其在520nm处提升6.3%。这项改进不仅可以用于背照式像素结构,而且可以被用于任何PD型正面照射式像素结构中。