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采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
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回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献
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一种基于软件无线电的扩频通信接收机的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
为了适应信号处理技术数字化、软件化和智能化的发展,提出了一种直接序列扩频接收机的软件无线电方案,并用计算机仿真了系统的性能指标,仿真结果验证了本设计方案的可行性。该接收机采用模块化设计,尽可能使用现有的可编程器件通过软件编程实现各种功能。优点是结构简单,灵活性好,可扩展能力强。 相似文献