退火温度对 BNST薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/LaAlO3(100)衬底上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2系(BNST)薄膜.研究了退火温度对BNST薄膜结构、表面形貌和介电性能的影响.X线衍射仪(XRD)分析表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐长大.经850℃退火处理的BNST薄膜具有很好的结晶质量.原子力显微镜(AFM)分析表明,在一定范围内提高退火温度所制备的薄膜晶粒致密、大小均匀.LCR测试分析表明,在测试频率为100 kHz时,随着退火温度的升高,BNST薄膜介电常数有所增加,介电损耗则先降低,后增加.实验表明,经850℃退火处理,所制备的BNST薄膜的介电常数达37,介电损耗小于1.2‰.     

ZigBee室内定位设备的天线与射频接口电路设计

针对ZigBee室内定位设备对电磁场高效产生和准确测量的要求,分析了室内定位设备中天线与射频接口电路设计的基本需求,给出了一种倒F型1/4波长单极子PCB板上天线及相应射频接口的分析设计方法。通过电磁场仿真软件AnsoftHFSS及射频电路仿真分析软件ADS2011对天线进行仿真,得到天线的关键参数仿真结果。在实际应用系统中的测试结果证明,天线及其射频接口能够较好地支持定位设备与定位算法的工作,且满足定位节点设备对体积与成本方面的要求。     

场发射示器矩阵寻址高压驱动电路的设计研究

提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路,并对其进行了性能仿真,仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0.8μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS工艺,有效提高了驱动电路的集成度,并降低了生产成本。成功研制出用于场发射驱动电路输出端的100 V高低压电平转换电路,实验测得空载情况下电路的上升时间和下降时间分别为35,60 ns,能够满足高压驱动电路的频率要求。     

UTRA/FDD RF Transceiver Requirements

Unified RF requirements are derived for an UMTS Terrestrial RadioAccess/Frequency Division Duplex (UTRA/FDD) compliant mobile transceiver. Aset of transceiver requirements are proposed with consideration to systemissues including duplex aspects. From these design-compatible requirements areproposed for each functional block in the transceiver.     

一种宽带接收射频前端设计与实现

本文设计了一种超外差架构的超宽带接收射频前端,工作频段覆盖400MHz~2000MHz,接收增益50dB,噪声系数小于6dB,中频输出频率70MHz,输出1dB压缩点大于18dBm,输出三阶交调节点大于30dBm,瞬时态范围大于55dB,测试结果和仿真结果基本一致,符合设计预期.     

A wideband high gain dielectric resonator antenna for RF energy harvesting application

A novel high gain and broadband hybrid dielectric resonator antenna (DRA) is designed and experimentally validated. To obtain the wide impedance bandwidth, the proposed antenna geometry combines the dielectric resonator antenna and an underlying slot with a narrow rectangular notch, which effectively broadens the impedance bandwidth by merging the resonances of the slot and DRA. An inverted T-shaped feed line is used to excite both antennas, simultaneously. It supports amalgamation of different resonant modes of the both, DRA and slot antenna. The measured results show that the proposed antenna offers an impedance bandwidth of 120% from 1.67 to 6.7 GHz. The antenna gain is next enhanced by a reflector placed below the antenna at an optimum distance. On engineering the height and dimension of this reflector the antenna gain is improved from 2.2 dBi to 8.7 dBi at 1.7 GHz. Finally, antenna operation is attested experimentally with a rectifier circuit in the frequency range of 1.8–3.6 GHz, where various strong radio signals are freely available for RF energy harvesting. The measured maximum efficiency of the rectifier and rectenna circuit were found to be 74.4% and 61.4%, respectively.     

宽带一体化接收前端技术的研究

本文构建了一个通用化、标准化、模块化的带射频接收前端,结合指标要求,进行了系统指标的规划及方案 的可行性论证,利用ADS 软件对其关键指标进行了仿真验证,阐述了宽带射端的设计方法及步骤。通过对各个功能模 块的设计、选择、及调试,最终在200MHz-3200MHz 的频率范围内,采用二次变频技术设计了一种超外差接收前端。 介绍了宽带射频前端系统仿真研究、接收机系统的方案选择、大动态范围接收机的实现接收机技术指标的计算与仿真 和发射机系统的设计与仿真。介绍了宽带一体化接收前端技术的系统设计与实现以及2～6GHz 通用接收机研究及关键 电路的设计与实验。     

适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。     

射频集成电路测试技术研究

射频集成电路(RFIC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件，由于其高频特点，准确评估RFIC的性能具有相当的难度。文章以射频低噪声放大器(LNA)为例，运用微波理论，分析了RFIC典型参数，如S参数、带宽、PldB、OIP3以及噪声系数等的测试原理和测试方法，并对影响RFIC性能测试的主要因素进行了分析。最后，给出了一种LNA电路的测试结果。     

半桥驱动芯片中LDMOS的设计仿真

借助工艺和器件仿真软件,对一种用于功率MOSFET和IGBT栅极驱动的半桥驱动芯片中的横向高压功率器件LDMOS进行了设计与仿真。该器件采用了双RESURF技术及双层浮空场板结构,通过对双层浮空场板层之间的距离以及双RESURF结构的ptop层的长度和浓度的优化设计,利用传统的Bi-CMOS工艺获得击穿电压689V和比导通电阻273×10–3.cm2的LDMOS。