多层梯度层InGaAs（P）InPSAGM雪崩光电二极管

本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管（简称ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰＳＡＧＭＡＰＤ），其技术指标为：击穿电压ＶＢ＝４０～９０Ｖ；０．９ＶＢ时的暗电流Ｉｄ最小可小于１０ｎＡ；１．３μｍ时光响应度Ｒｅ＝０．６～０．８Ａ／Ｗ，倍增因子Ｍ≥２０（Ｍｍａｘ＞４０），过剩噪声因子Ｆ≌５和较宽频带响应特性。     

940nm高功率激光二极管及线阵

设计并制作出了940 nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条.通过MOCVD法生长出应变量子阱材料,器件显示出极好的性能,100μm条宽的激光二极管最大输出功率达800mW(室温),填充因子为17%的激光二极管条发射功率达32 W.     

侧面泵浦Nd∶YAG连续激光器

介绍了一种二极管侧面泵浦的Nd∶YAG连续激光器,采用了简单、实用的侧面泵浦结构,获得37.9W的连续1.064nm的激光输出,斜效率为31.5%,光效率为23.7%.     

整流装置的谐波计算

准确计算变流系统的谐波是进行谐波抑制的前提。本文介绍了一种确定 Fourier 系数的计算方法,并利用这种方法对整流电路进行了谐波计算。计算结果表明这种方法对变流器的谐波计算是方便和准确的。     

MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用

从传统移相器的构造和原理出发，进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明，MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展，MEMS移相器介质损耗大幅度降低，将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上，便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。     

“共振隧穿二极管与光敏异质结双板型晶体管的光电集成”项目通过市教委验收

由我校信息与通信工程学院副院长牛萍娟副教授承担的天津市高校科技发展基金项目“共振隧穿二极管与光敏异质结双板型晶体管的光电集成”于2005年8月2日通过了市教委组织的专家验收．     

激光器市场回顾与展望二极管激光器

《光机电信息》于2002年第4期报道了“激光器市场回顾与展望；非二极管激光器”的分析报告，经过数月的资料收集和市场调查，本期推出“激光器市场回顾与展望：二极管激光器”的分析报告。该报告对各种应用的二极管激光器的市场进行了分析，所给结果具有普遍意义。     

不断发展的CO2激光器

世界上第1台商用CO2激光器采用了一种很大的气体流动系统，需要定期维修和保养，而今天，CO2激光器已取得惊人的进展，人类正计划将一种体积小、重量轻并能连续工作5年的CO2激光器系统送往太空。