上海硅研究所推出新型纳米材料制备方法

最近，中国科学院上海硅酸盐研究所朱英杰课题组发展了一种氧化锌-二氧化锡复合氧化物纳米材料的简单制备方法。[第一段]     

Sn(OBun)4溶胶-凝胶法制备SnO2气凝胶

以锡酸正丁酯(Sn(OBun)4)为前驱体,利用溶胶-凝胶工艺和CO2超临界干燥技术制备了透明和半透明的单块SnO2气凝胶.这些二氧化锡气凝胶密度小,孔隙分布宽,比表面积高.SEM分析表明,这种气凝胶由尺寸不一的如棉花团一样的团块堆积而成,团块之间为大尺寸孔隙(＞50 nm),棉花团块内还具有细小的微孔(＜2 nm)和介孔(＜50 nm).TEM分析表明,在不同的放大倍数下,二氧化锡气凝胶具有相似的结构.     

SnO2导电薄膜的制备及电学性能研究

利用等离子体化学气相沉积制备了ＳｎＯ２导电薄膜，分析了膜的电学性能与沉积参数的关系，同时测得ＳｎＯ２膜具有负温阻特性，这是一种Ｎ型半导体膜。     

有机衬底SnO2：Sb透明导电膜的研究

采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2∶Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构.SnO2∶Sb薄膜中Sb2O3的最佳掺杂比例为6%.适当调节制备参数,可以获得在可见光范围内平均透过率大于85%的有机衬底SnO2∶Sb透明导电薄膜,其电阻率～3.7×10-3Ω·cm,载流子浓度～1.55×1020cm-3,霍耳迁移率～13cm2·V-1·s-1.     

ZrO2掺杂对SnO2薄膜电性及气敏性的影响

本研究不用金属醇盐而以无机盐ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ为主体原料，以Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４为掺杂剂，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－疑胶Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备了不同ＺｒＯ２掺杂份量的ＳｎＯ２薄膜，发现ＺｒＯ２薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ气体具有较好的气敏性能，同时本文研究了ＺｒＯ２掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜导电率及气敏性能的影响。     

SnO_2对浮法玻璃耐水性的影响

本文在洛阳浮法玻璃组成中添加一定比例的ＳｎＯ２取代相同质量的ＳｉＯ２，用粉末法测定各试样的耐水性。结果表明，在玻璃组成中添加２％左右的ＳｎＯ２时，玻璃的耐水性有明显提高，为浮法玻璃的防霉提供了一条可能的途径。     

半导体导电陶瓷的研究

半导体导电陶瓷的研究薄占满（天津大学材料科学与工程系，天津３０００７２）ＳｎＯ＿２制成的导电陶瓷能否耐强酸腐蚀，至今尚未见报导，且ＳｎＯ２熔点很高，难以烧结成瓷，本文对烧结温度低的半导体导电陶瓷及其耐酸能力进行了研究。采用试剂纯ＺｎＯ，ＣｕＯ作为加入...     

新型压敏陶瓷材料的研究与进展

ZnO压敏材料问世50年来,新型压敏材料的研发一直备受各国研究者和业界的关注。根据本研究组的一些研究结果,结合有关文献报道对国内外压敏陶瓷材料研究发展现状作了一个回顾与综述,指出随着科学技术的飞速发展,无论是SrTiO4系压敏陶瓷、TiO2系压敏陶瓷、低压ZnO压敏电阻和高压ZnO阀片还是多层片式ZnO压敏电阻器,各种新型压敏陶瓷材料和压敏元件的研发都取得了很大进展。然而,近年来国外在高性能、高梯度ZnO阀片和在新型SnO2压敏材料的醒目进展需要引起国内业界的极大关注。