基底预处理对水热法制备SnO_2纳米阵列生长的影响

采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强.     

微波辐射法制备活性二氧化锡并催化合成乙酰水杨酸

利用微波辐射处理五水四氯化锡溶胶制备出活性二氧化锡，小试研究活性二氧化锡催化合成乙酰水杨酸，并研究了酯化反应的优化条件，结果表明：微波辐射法制备的二氧化锡呈现出较高的催化活性和选择性，其催化合成乙酰水杨酸产率比以浓硫酸为催化剂的产率高，也明显高于一般普通二氧化锡催化产率；活性二氧化锡催化酯化反应的最佳时间为45min，最佳温度为85℃，乙酸酐与水杨酸的最佳物质的量比为2：1．活性二氧化锡催化剂安全无毒，克服了浓硫酸的强腐蚀性、强氧化性、难于与产品分离、对环境污染大等诸多缺点，因此，活性二氧化锡可望成为一种较好的能取代液体浓硫酸并对环境友好固体酸催化剂。     

二氧化锡纳米薄膜的AFM研究与气敏性能测试

以SnC l2.2H2O为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了二氧化锡纳米薄膜,对薄膜制备过程中原料的浓度、陈化时间、提拉速度、烧结温度、烧结时间等影响因素进行了系统的研究,获得了较佳的制膜工艺条件,并测试了SnO2薄膜在室温下的气敏特性.结果表明,当Sn2+浓度为0.1 mol/L,陈化时间为60 h左右,提拉速度为80 mm/m in,烧结温度为500℃,烧结时间为30 m in时,制备出了高质量的SnO2纳米薄膜,成膜粒子均匀,粒径小,约为2 nm,而且薄膜对2~10 mg/L的乙醇和丙酮都有较好的敏感性和响应-恢复特性.     

SnO2气敏元件敏感性能的研究

为了探讨具有优良性能的SnO2气敏元件的研制方法,依据半导体晶界气敏理论．以SnO2为基体材料,采用烧结型工艺和溶胶一凝胶方法制备出了气敏器件,并对该元件的气敏特性进行了测试,结果表明,采用溶胶一凝胶方法制备的气敏元件具有较高的灵敏度和低电阻等特点,对氢气响应时间可以达到5s.     

镧掺杂二氧化锡中空微纳米球的制备及吸波性能

以硝酸镧、氯化亚锡和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为原料,采用电喷法结合后续高温煅烧技术制备了La³⁺掺杂Sn O₂中空微纳米球。通过热重分析仪、Fourier变换红外光谱仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和矢量网络分析仪等手段对目标产物进行了表征,研究了Sn O₂微纳米球中空结构的形成机制及La³⁺掺杂对其物相、微观形貌和吸波性能的影响。研究表明:La³⁺掺杂Sn Cl₂/PVP前驱体聚合物呈完整球形,表面光滑,球径分布在0.5～2.2μm之间。经600℃煅烧后,均生成了单一金红石型Sn O₂,且La³⁺的加入未改变Sn O₂的晶体结构;煅烧后产物均为中空球状,球面由许多小颗粒堆积而成,表面粗糙不平。当匹配厚度为2 mm时,La³⁺掺杂比例为0.6%(摩尔分数)的产物的吸波效果最佳:最低反射率为–29 d B,对应的吸收频率为11.1 GHz,低于–10 d B的吸收频带为1...     

SnO2基NTC热敏陶瓷性能及结构的研究

以SnO2为主要原料，外加Sb2O3、陶瓷熔块等，成功地研制出了室温至200℃范围内使用的多元系统负温度系数NTC热敏电阻陶瓷，并通过XRD及电性能测定等分析手段，对其电学性能、反应机理及结晶构造等进行了探讨。     

纳米SnO2及分子筛封装纳米SnO2簇的氢还原研究

研究了液相法制备的纳米SnO2和分子筛封装的纳米SnO2簇（Cluster）的氢还原情况，实验发现，与普＆SnO2微粒相比，纳米SnO2超微粒和分子筛封装的纳米SnO2簇的氢还原起始温度可降低100℃～150℃，氢还原起始表观活化能大小为SnO2微粒＞纳米SnO2微粒＞分子筛封装纳米SnO2簇。     

溶胶-凝胶-冷冻干燥技术制备纳米二氧化锡及其表征

采用溶胶-凝胶-冷冻干燥技术制备了纳米SnO2粉体,并用X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和热分析(TG-DTA)对产品进行了表征,同时考察了pH值、反应物浓度以及焙烧温度对产品粒径及形貌的影响。结果表明,在优化的反应条件下,溶胶-凝胶-冷冻干燥技术可以制得粒径均匀的10nm以内的SnO2粉体。     

纳米导电二氧化钛的研制

采用化学共沉淀的方法在纳米二氧化钛表面包覆SnO2 掺杂Sb2 O5导电层 ,制得纳米导电二氧化钛。讨论了水解 pH值、反应温度、SnO2 的包覆率、m(SnCl4 ·5H2 O) /m(SbCl3)、反应时间和热处理温度对纳米导电二氧化钛体积电阻率的影响。表征了纳米导电二氧化钛及其粒度分布     

SnO2表面修饰载体对涂覆式丙烯酸催化剂的影响

采用一步水热法制备了SnO₂表面修饰处理的催化剂载体,并将处理后的载体用于制备涂覆式丙烯酸催化剂。采用X-射线衍射、扫描电镜、氮气吸附的表征方法对载体和催化剂进行了表征。结果发现,经过水热法处理后的载体表面生成了针刺海胆状的SnO₂晶体结构。进一步考察了SnO₂表面修饰对载体和丙烯酸催化剂的性能影响。结果表明,采用针刺海胆结构的SnO₂表面修饰后的载体所制备的钼钒系丙烯酸催化剂的机械强度和选择性均有提高。