乙烯裂解深度先进控制在齐鲁石化中的应用

裂解炉是乙烯装置的核心设备,裂解炉控制的品质不仅影响乙烯和丙烯的收率,而且会直接影响后续单元的平稳操作。运用神经网络技术建立了裂解深度预测模型,开发并实施了基于Smith预估控制的裂解炉裂解深度先进控制系统,减少了油品属性波动造成的影响,稳定了裂解深度,提高了乙烯装置的稳定性和乙烯、丙烯的收率。     

嵌入式系统

德州仪器(TI）推出一款高性能．无滤波器的立体声D类音频功率放大器．该解决方案能够延长通话时间并提高音质。TPA2012D2能够将静态电流降低三分之二．自噪声降低80％；该款2.1W立体声D类音频功率放大器目前采用4mm×4mm的小型ThinQFN(四方扁平无铅)封装，样片采用TI先进的无铅2.0mm×2.0mm晶圆级封装（WCSP）。     

开关和多路复用器

小封装低电压开关和多路复用器推动便携式电子产品的广泛应用.随着移动电话、MP3播放器和掌上电脑（PDA）等便携式电子产品不断地要求增加功能和性能并且不断地缩小封装尺寸，要求每一种集成电路（IC）的设计都需要相应地缩小封装尺寸，同时提高其性能水平。     

用低温金属电镀技术制造与封装的惯性微型电学开关

运用光刻胶为注模的多次互不干扰金属电镀技术实现了惯性微型电学开关的低温制造与封装.电镀技术的低温过程可使微型开关直接成形于预先制作好的含有电子信号处理电路的基底上,加上同样借助于低温金属电镀技术的基于整个硅晶片的倒装封装,直接形成环绕各个器件的密封腔体.这一技术最终将使得模块化生产成为现实.微型开关的高度和它的密封腔的高度可以分别控制.电子信号可以通过金属互连线进入密封腔体.为了便于设计,建立了一个既简单又相对准确的"弹簧-质量块"模型.以此设计的惯性开关,即使在未封装的常温、常压条件下,均可工作109次以上.本文对密封腔体的强度和密封性,以及金属互连线的可靠性,都作了详细的检测,各项指标均达到其各自的标准.     

使用超薄型微细布线基板（MLTS）的高密度LSI封装

概述了超高密度薄型基板(MLTS)封装技术的概念、特征和工艺以及应用MLTS封装技术开发的高性能FCBGA和CSP。     

宽带无线接入系统中的调制技术

近年来各种宽带无线接入技术迅速涌现,包括3.5GHz频段MMDS系统、26GHz频段的LMDS系统和无线局域网WLAN等。一方面这些技术充分利用了过去未被开发或者应用不多的频率资源(如2.4G、3.5G、26G、30G甚至60G的工作频段),实现尽量高的接入速率;另一方面融合了在其他通信领域成功应用的先进技术,如高阶QAM调制(64QAM)、ATM、OFDM等,以实现更大的频谱利用率、更丰富的业务接入能力和更加灵活的带宽分配方法。宽带无线接入系统中的主流调制技术比较早期的宽带无线接入技术多采用QPSK和FSK调制,调制效率为2~3bit/symbol;目前一部分…     

高效率的替代解决方案——Startmaster55软起动器

Fairford公司最近推出的Startmaster55为用户提供了一种完整的全集成软起动器解决方案。该产品主要定位于22kw以下的电机驱动应用，标配采用IP55封装形式，能抵御多尘、潮湿运行环境所带来的不利影响。Startmaster55可直接作为星形／三角形起动器或DOL（直接在线式）起动器的替代方案，产品安装简便，只需要三根输入电缆和三根输出电缆。同时，Startmaster55还集成了一个软起动器、一个主回路接触器、一个旁路接触器，以及一套可调节的过热保护装置，而所有的这些单元，都被封装进了一个紧凑、坚固的IP55机壳内。这款产品可适用于功率范围为3～22kW的各类三相感应电机。     

基于UML的OOAD测试技术中几点问题的分析与研究

面向对象的开发技术有力的推进了软件产业的迅速发展。面向对象软件的独有特性,如抽象、继承、封装、多态等,使得传统的软件测试技术不能直接应用于面向对象的软件测试,从而形成一种新兴的软件测试技术——面向对象的测试技术。本文主要分析了面向对象软件测试中存在的几点问题及应对策略。     

EPC核心网接口带宽流量的规划设计

介绍EPC架构核心网主要接口类型、接口协议栈组成;考虑LTE话务模型、峰均比、封装协议效率、装载率等因素,运用带宽流量分析的方法,并以举例的方式计算接口流量,为EPC核心网规划提供了参考。     

VO2/Al2O3复合膜系制备及其相变特性

钒的氧化物具有对温度敏感的半导体-金属可逆相变特性.在多种钒氧化合物中,VO2的相变温度点约为68℃,适用于很多应用领域.VO2长期暴露在空气中时,会被氧化.研究了通过制备VO2/Al2O3复合膜系来保持氧化钒薄膜的稳定性的方法.采用TFCalc薄膜设计软件,设计了VO2/Al2O3复合膜系.依据材料的折射率和消光系数,优化了膜系各膜层的厚度,分析了复合膜系的相变特性.采用磁控溅射方式制备了氧化钒薄膜,再通过氧氩混合气氛热处理得到VO2占主要成分的氧化钒薄膜.在氧化钒薄膜上采用射频磁控溅射方法封装了120 nm厚的Al2O3膜.利用分光光度计测量分析了膜系的相变特性,Al2O3膜对VO2膜的相变性能影响很小.Al2O3膜适于VO2薄膜的封装.