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The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively. 相似文献
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本文对八种新型功能晶体Li2B4O7、Bi12TiO20、Bi12GeO20、Bi12GeO20、Bi4Ge3O12、Sr1-xBaxNb2O6(x=0.33,0.48)、LiTaO3等在130~973K范围内的比热行为及其与相变、组分之间的关系进行了实验研究,给出了比热的多项式拟合方程,并与用纽曼-卡普定律及用Wikelmann经验方程的比热计算值作了对比,为晶体比热的估算提供了依据和方法。 相似文献
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本文研究短程透镜的焦点位于端面外的球差特性。对焦点位于波导外部(包括端面)的情况给出了一种精确测量焦距新方法,采用这种方法简单易行,测量精度取决于读数显微镜的读数精度(0.01mm)。 相似文献
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