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31.
32.
从20世纪80年代早期——表面贴装技术(SMT)的出现,人们便开始围绕组装工艺中塑料封装IC器件的湿度敏感性这一严重问题展开了讨论。湿气会扩散到电子封装里面去,这是一个复杂的现象,在制造过程中,受潮的器件不能直接进行回流焊接。许多PCB组装人员经常会误解湿度敏感现象的本质及其工艺指导原则。在生产现场正确地遵循工艺指导原则,是对生产工艺的一个巨大挑战。10年前,我们在ESD(Electrostatic Sensirive Devices静电敏感器件)面前不知所措,而今我们又在MSD面前似乎显得束手无策。随着MSD器件在PCB组装厂中用量的慢慢增长,为了提高电子产品的可靠性,无疑又一次向我们提出了新的挑战。  相似文献   
33.
蒋锐  叶大华 《激光技术》2003,27(4):278-278
把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV~4.8eV(442nm~250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。  相似文献   
34.
颜志英 《微电子学》2003,33(5):377-379
研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。  相似文献   
35.
1关于IEC/TC110 IEC/TC110平板显示技术委员会是由IEC/TC47/SC47C平板显示器件(FPD)分技术委员会于2002年IEC年会上提出,并于2003年7月由IEC中央办公室确定从IEC/TC47中分离出来新成立的技术委员会。  相似文献   
36.
高线性模拟光耦HCNR201原理及其在检测电路中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
HCNR201是HP公司生产的高线性度模拟光电耦合器 ,它具有很高的线性度和灵敏度 ,可在检测系统中精确地传送电压信号。文中介绍了高线性度模拟光耦HCNR201的内部结构和工作原理 ,给出了用HCNR201和运算放大器实现检测电压的隔离传输电路。  相似文献   
37.
通用IC     
《电子设计应用》2004,(9):148-148
  相似文献   
38.
宁会生 《石油仪器》2006,20(5):12-13
新一代深度张力面板不仅具有基本的深度、张力采集、处理、显示功能,同时还具有多种报警及通讯功能.其最大的特点是采用了液晶显示屏和触摸屏,使得信息的显示更加丰富、直观和醒目.同时,触摸屏的采用,省去了传统的按钮、开关及键盘操作模式,使操作更加方便简洁、自然.该面板可以单独工作,也可以配备于测井、录井地面系统中使用.  相似文献   
39.
电荷耦合器件积分时间对微型成像系统成像质量的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
宋勇  郝群  王涌天 《兵工学报》2003,24(3):338-341
在光圈固定的情况下,确定合适的积分时间对于提高微型电荷耦合器件(CCD)成像系统的成像质量,增强微型飞行器的侦察能力具有十分重要的意义。本文讨论了决定CCD积分时间的各种因素,重点研究了适用于微型飞行器的CCD成像系统的积分时间与像移的关系,并进一步推导了计算像移量的相关数学模型。利用该模型对不同积分时间内采集的运动图像进行了像质评价,结果表明,在保证曝光量的前提下,当像移量被限制在1个像素内时,可以获得相对理想的运动图像像质。  相似文献   
40.
交互式机顶盒、数字电视已经从分立器件结构发展到单芯片解决方案。这是数字大规模集成电路制造工艺技术进步的结果,也是最大程度降低系统成本的必然要求。现代单芯片解决方案的机顶盒一般集成有CPU、解复用、音频视频解码、二维图形处理、编码和外设端口等模块。为节省芯片面积,  相似文献   
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