对动态规划匹配算法的改进

在语音识别中,利用动态规划技术实现的非线性时间规正已得到了令人满意的结果。但是,现在应用的DP Matching(Development PlanMatching动态规划匹配)法一般都不能同时具备以下三条特征:模式可交换性、时间可逆性、与线性 匹配方法的相容性。因此算法本身的通用性、灵活性欠佳。本文基于这种情况,提出了一种新的DP—Matching法,这种方法完全具备以上三种特征。应用这种算法在计算局部距离时对加权系数有平滑作用,在实际应用中灵活性大,特别对某一发音模式需要进行分段匹配、时间可逆性匹配时,更显示出其有效性。本文首先简单阐述DP—Matching算法的基本理论,然后分析和证明了现有的DP—Matching公式的缺陷,提出并详细证明了一种新的通用型DP—Matching算法,最后得出几点结论。     

场效应治疗仪（续）

二、场效应治疗仪的使用及维护 1.使用方法 如图3所示,将效应带叠成3折,形成一个厚垫,再与增效药垫叠放在一起装入清洁袋内,之后,再将清洁袋塞入反射带上的松紧带内固定好,敷于患处或相应的穴位上,并用反射带四角上的固定带子于身体某部位扎绑固定好。接通电源,LED发光指示,再将效应带的电源引出插头插入电源盒上的“输出”插座,按下“强”、“中”、“弱”三档开关中的任一个键后,电源盒便输出相应的电压,开始治疗。     

内孔滚压光整加工

介绍一种无切屑内孔加工方法—液压法。用实验数据说明了滚压盈量、滚压次数、滚压速度等与滚压后内孔表面粗糙度的关系。还介绍了目前国内采用的滚压工具。     

Ge／Pd／n—GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火在ｎ－ＧａＡｓ上形成了低阻欧姆接触，利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用Ｘ＾＋和ＧｓＸ＾＋信号检测的Ｇｅ，Ｐｄ，Ｇａ和Ａｓ的深度分布。结果表明采用ＣｓＸ＾＋可以提供更准确的结果和成分信息。     

电压补偿式高准确度钳形表

本介绍了一种电压补偿式高准确度钳形表的设计原理，并给出了详细的误差分析。     

开关电源及其功率材料的现状与发展

本文介绍了目前国外开关电源产品的技术发展动向,市场现状与发展。     

半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量

本文利用Ｘ射线双晶衍射Ｂｏｎｄ方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘ＧａＡｓ的晶格参数．建立了过量Ａｓ在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘ＧａＡｓ晶格参数的根本原因．并建立了半绝缘ＧａＡｓ晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量．这对于ＧａＡｓ单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义．     

现代卫星通信调制解调技术的发展（上）

本文综述了现代卫星通信调制解调技术的发展，介绍了恒定包络调制解调技术、ＴＣＭ调制解调技术和非恒定包络调解技术的通用调制解器结构和功率与带宽利用率。     

小功率高速电机变频器的研制

论述一种采用功率晶体管模块完成中频变频器调制调压控制的实用方案，可应用于高速电动机的无级变频调速，性能／价格比高，使用方便。