全文获取类型
收费全文 | 756篇 |
免费 | 53篇 |
国内免费 | 41篇 |
专业分类
电工技术 | 35篇 |
综合类 | 24篇 |
化学工业 | 70篇 |
金属工艺 | 213篇 |
机械仪表 | 82篇 |
建筑科学 | 23篇 |
矿业工程 | 4篇 |
能源动力 | 26篇 |
轻工业 | 9篇 |
水利工程 | 6篇 |
石油天然气 | 53篇 |
武器工业 | 3篇 |
无线电 | 170篇 |
一般工业技术 | 64篇 |
冶金工业 | 50篇 |
原子能技术 | 12篇 |
自动化技术 | 6篇 |
出版年
2024年 | 9篇 |
2023年 | 51篇 |
2022年 | 35篇 |
2021年 | 57篇 |
2020年 | 32篇 |
2019年 | 35篇 |
2018年 | 16篇 |
2017年 | 37篇 |
2016年 | 23篇 |
2015年 | 33篇 |
2014年 | 40篇 |
2013年 | 33篇 |
2012年 | 39篇 |
2011年 | 42篇 |
2010年 | 38篇 |
2009年 | 23篇 |
2008年 | 32篇 |
2007年 | 30篇 |
2006年 | 45篇 |
2005年 | 48篇 |
2004年 | 27篇 |
2003年 | 15篇 |
2002年 | 15篇 |
2001年 | 16篇 |
2000年 | 14篇 |
1999年 | 11篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 5篇 |
1992年 | 5篇 |
1991年 | 6篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 4篇 |
1988年 | 2篇 |
排序方式: 共有850条查询结果,搜索用时 46 毫秒
41.
运用ABAQUS软件的非线性接触对筒形件旋压成形进行数值模拟.当毛坯壁厚为5 mrn时,正旋和反旋最适减薄率分别为32%和30%,一次旋压合格工件的极限减薄率分别为48%和42 %.随着毛坯壁厚的增加,极限减薄率将减小,且正旋和反旋的最适减薄率也随之减小.当毛坯壁厚达到7 mm时,旋压力的增长率将明显提高.研究表明,利用有限元数值模拟可为选定工艺技术参数、提高产品质量和减少试加工过程提供有效的途径. 相似文献
42.
采用切块法对内侧减薄拉深工艺过程中坯料变形区的力学行为进行了分析推导,并利用推导结果对影响内侧减薄拉深工件质量的因素进行了分析讨论.最后给出了内侧减薄拉深力的计算公式. 相似文献
43.
油管缺陷在线检测仪的研究 总被引:12,自引:2,他引:12
文中研究了油管局部缺陷和壁厚减薄缺陷的漏磁场检测原理。研制了一种新型的井口式油管缺陷检测仪,缺陷检测传感器的组合式探头具有自动张合、浮动和随动功能,能够满足油管在线检测对检测传感器的要求。仪器可用在井口对油管进行在线连续定量检测,检测结果不受管表面的油泥或其它非导磁性材料的影响。测试表明,该仪器具有精度和分辨率高,结构简单,安装方便,性能可靠等优点。 相似文献
44.
圆管无芯弯曲壁厚变薄量研究 总被引:1,自引:0,他引:1
耿相军 《锻压装备与制造技术》2006,41(3):86-88
采用回归分析和曲线拟合方法,提出圆管无芯弯曲壁厚减薄量新的计算公式。经验证该公式比目前实际采用的变薄量计算公式具有更高的计算精度。 相似文献
45.
对合金INCONEL617实施基于热机械处理(TMP)方法的晶界工程(GBE)来优化晶界分布特征(GBCD),并增加了低三重位点阵晶界(CSLBs)份数。经过减薄5%并随后在1100℃保温90min退火的试样,比减薄量更大的试样增加的低三重位点阵晶界(CSLBs)多。通过TMP处理优先增加∑3^n(∑3、∑9和E27)晶界的份数,这对于提高材料性能来说是很合适的。GBE优化后的GBCD,在850℃保温672h,其热稳定性没有显著降低,这已得到了证实。 相似文献
46.
47.
中国东部岩石圈减薄研究的一些进展 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了近年来不同学者从各个方面研究中国东部岩石圈减薄所取得的进展.主要包括对中国东部岩石圈减薄的幅度和范围有了进一步的认识.同时对引起减薄的动力学机制与减薄发生的时间也有了更深入的理解.对中国东部岩石圈减薄建立的模型有:交代成因、拆沉作用、地幔置换模型、地幔耗散、伸展作用.以上这些方面的认识和成果从不同角度反映了岩石圈减薄的具体过程. 相似文献
48.
局部减薄缺陷会降低压力管道的承载能力,影响管道的安全运行。通过应力强度评定、极限载荷分析及安全评定标准三方面对含局部减薄缺陷压力管道的承载能力进行系统研究,研究了缺陷尺寸(缺陷相对轴向长度,缺陷相对环向角度,缺陷相对深度)对许用载荷、极限载荷和安全评定载荷的影响规律。结果表明,在内压作用下,缺陷相对深度对管道的承载能力影响最大,缺陷相对轴向长度次之,缺陷相对环向角度的影响最小。对比分析发现许用载荷和安全评定载荷基本吻合,极限载荷值高于许用载荷值34.92%左右;许用载荷与安全评定载荷的比值会在一定范围内波动,存在缺陷尺寸相关性;极限载荷值与许用载荷值的比值和局部减薄缺陷的尺寸无关。相对于极限载荷,许用载荷、安全评定载荷是安全的,符合工程应用的要求。 相似文献
49.
提出与CMOS工艺兼容的薄型双漂移区(TD)高压器件新结构.通过表面注入掺杂浓度较高的N-薄层,形成不同电阻率的双漂移区结构,改变漂移区电流线分布,降低导通电阻;沟道区下方采用P离子注入埋层来减小沟道区等位线曲率,在表面引入新的电场峰,改善横向表面电场分布,提高器件击穿电压.结果表明:TD LDMOS较常规结构击穿电压提高16%,导通电阻下降31%. 相似文献
50.