高功率二极管激光器的技术现状、工业应用及未来展望

二极管激光器现已广泛应用于通信、计算机及消费电子技术等领域，在这些领域中应用的二极管激光器均属毫瓦级功率的系统。然而，通过特殊的冷却与组装技术及光束组合与光束成形技术。高功率二极管激光器现已达千瓦级功率。这些高功率二极管激光器不仅可作为固体激光器高效率及高可靠性的泵浦源，还可作为材料加工的直接光源。目前，高功率二极管激光器已进入工业制造领域。本文介绍二极管激光器技术及其应用，并对德国未来5年的国家研究项目MDS(Modular Diode Laser Beam Tools)中的高功率二极管激光器的未来应用及其创新应用进行了重点论述。     

CDMA2000 EV-DO系统与1X系统反向功率控制机制比较

文章对比了CDMA2000EVDO系统及1X系统反向功率控制机制的异同，并结合功率控制过程对EV—DO系统的反向外环功率控制参数进行了描述。     

美国国家半导体产品概览

发光二极管灯光管理系统；低功率的发光二极管灯光系统；高功率灯光系统。     

利用补充分组编码降低MIMO-OFDM系统峰均比

多输入多输出正交频分复用（MIMO—OH）M）系统已成为第四代移动通信系统研究中的热点，而OFDM系统产生的高峰均功率比（PAPR）是限制MIMO—OFDM技术实用化的主要障碍之一。详细介绍了补充分组编码技术的基本原理，并通过仿真与测试的结论与其他编码技术进行了比较，验证了此编码技术对降低峰均功率比确实具有很好的效果。     

Andiore Search Reference 610T单声道后级功率放大器

美国真空管知名老厂Audioresearch，近来可说是动作频频，连续推出了多款重量级的制品，继前阵子发表的旗舰前级Reference 3之外，还推出了一款堪称怪兽级的单声道旗舰后级Reference 610T，为什么会说它是怪兽级呢？看看上面使用的真空管数量就知道了，610T总共用上了19支真空管，增益级用的是两支双三极6NIP与一支军规6H30，功率管部分则是用了八对6550C。用上这么多真空管，当然大家最担心的还是管子寿命、偏压的调整与真空管产生高热等三个问题，而所有这些问题Audioresearch都考虑到了。610T上使用的真空管寿命至少达2000小时以上，偏压的调整钮设有两个，加上真空管采开放式地设置在机器的最上方，如此一来便能自然的散热。另外610T还有一个与以往不同的地方，就是所有的信息都显示在一个与Reference 3前级相同的大型液晶面板上。至于大家最关心的功率输出，单声道能输出足足600W，这项成就绝非一般的功率放大器能达到。     

瑞萨发布LFPAK-I上表面散热型封装

日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式．它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品．现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率     

低RDS（ON）功率MOSFET实现更信的汽车性能

随着人们对驾驶室功能的需求不断增加，以及大型汽车对发动机的功率连同行驶里数的需求不断上升．新型低阻抗功率NOSFET遂应运而生．可实现汽车从传统的发电系统和液压系统转移到电子系统。这些新型低阻抗功率MOSFET有助于在增强汽车的舒适性和安全性的同时提高行驶里数。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，