GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真

采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.     

300 m级高拱坝设计与施工三维可视化仿真研究

双曲拱坝的C2连续曲面的三维模型表达困难,以双曲拱坝函数方程为基础引入CATIA三维软件,实现交互式设计和分析。同时,完成双曲拱坝细部模型的基于规则的智能化设计。基于大坝详细设计的三维成果,利用组件技术对模型数据进行提取和利用,制定施工方案并进行施工方案的动态可视化仿真。     

应用时频分析方法辨识时变系统的模态参数

应用Gabor展开及Hilbert变换进行时变线性系统模态参数的辨识。利用非平稳信号的Gabor变换将结构响应信号表示在时频面上，并通过Gabor展开重构分离模态分量，建立每一阶模态的时变线性模型。对单模态时变线性模型应用Hilbert变换来辨识随时间变化的模态频率和阻尼。通过对刚度和阻尼慢变的两自由度系统模态参数的仿真辨识验证辨识方法的有效性。仿真结果表明：本文方法为时变线性系统的模态参数辨识提供了一条新的途径。     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

光电平台无角位移减振机构运动分析

分析了光电平台的工作环境和角振动对成像质量的影响，应用空间机构学原理和减振理论，设计了一种既具减振功能又能抑制角位移的无角位移减振机构。对减振机构的减振机理及运动特性进行了分析，并利用三维建模软件和MSC．Visual Nastran 4D仿真分析软件对该减振机构进行了三雏实体仿真分析，通过输出的仿真数据及曲线检验无角位移减振原理的正确性。     

基于水印的图像认证和完整性保护技术

数字水印技术的发展为解决图像认证和完整性保护问题提供了新的思路。对用于篡改检测和图像认证的水印技术做了综述。数字水印技术根据其识别差错的能力分为四种类型:易损水印、半易损水印、混合水印和自嵌入水印。最后还对水印认证技术的安全性问题进行了讨论。     

用MATLAB进行三相交-交变频电源的仿真设计

三相交－交变频电源在低频拖动控制中有广泛的应用，通过晶闸管设计的静止式变频电源具有效率高，无噪声的优点，但却存在设计复杂、成本高，高速困难等缺点，而利用MATLAB软件中的Simlink仿真工具来实现三相交－交变频电源的仿真设计和分析，能做到省时，省成本，易于操作，在静止式变频电源设计中有很好的使用价值。采用MATLAB仿真工具完成了一个全数字控制的三相交－交变频电源的设计。     

二氧化碳跨临界系统参数间相互关系的热力学第二定律的分析与研究

本文利用热力学第二定律（Yong） 的(exergy)分析法，对二氧化碳跨临界制冷循环系统进行了仿真和分析，分析显示：炯效率随着放热压力的变化而变化，其最大值出现在最优放热压力处，同时，本文还就气体冷却器口温度、蒸发温度及蒸汽过热度对系统Yong效率的影响进行了仿真和分析。     

光刻版图形处理过程的计算机仿真

采用有限状态机模型来仿真集成电路行业中光刻版图形的处理过程,涵括了层次处理、涨缩处理和反转处理。将不同的处理过程定义为相应的状态,将图形处理要求定义为输入条件触发状态转换。该模型已应用于光刻版数据处理的电子设计自动化软件。     

应用TEXTIO和MATLAB进行复杂数字系统仿真

在基于FPGA的复杂数字系统的仿真测试中,设计者常常面临各种挑战.以数字图像处理系统的仿真为例,如果采用完备性仿真测试方法,那么测试矢量的数量将是非常巨大的;如果采用常规方法,不仅效率不高,而且可能无法达到仿真测试的目的.针对这个难题,提出一种进行仿真测试的新方法,该方法应用TEXTIO和MATLAB来辅助仿真测试过程,使问题得到较好的解决.以电视图像实时多目标捕获单元的仿真测试为例,全面、细致地讨论这种新方法.