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介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。 相似文献
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采用复合靶及离子微波控制共溅射方法制备了银（Ａｇ）硅（Ｓｉ）复合物薄膜。透射电观察表明，银晶体小颗粒（１－３ｎｍ）镶嵌于非晶基体中。近紫外、可见光及近红外吸收光谱分析表明，当银含量低于５０ａｔ％时，薄膜显示典型非晶半导体光谱特征；当银含量高于５０ａｔ％时，在近紫外及可见波段显示两个吸收峰，讨论了其可能的吸收机制 相似文献