金刚石/氮化铝发光器件

把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV～4.8eV(442nm～250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。     

利用SOA自发辐射和非对称马赫-泽德尔干涉仪实现全光波长变换的研究

对利用SOA中ASE输出频谱,实现全光波长变换的技术进行了理论与实验的研究.在这种波长变换技术中,信号光涮制SOA中的ASE强度和相位,通过光滤波器对ASE输出光谱进行频谱分割,以产生所需要的变换波长信号,并结合一个非对称马赫一泽德尔干涉仪实现信号码型的再反转.根据ASE输出光谱的波长依存性,建立从理论上推导出同相注入模式下的ASE输出功率以及其相位变化的数学表达式.通过实验,测定了波长变换系统的信号误码率、眼图以及时间波形等,并对这些实验结果进行了分析.     

微波集成电路（MIC）中Au／NiCr／Ta多层金属膜粗糙化机理的AFM研究

Au/NiCr／Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向，SEM观察薄膜断面形貌，AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关，随着沉积温度100℃→250℃的改变，薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

宽输入范围1A LED驱动器利用汽车和12VAC电源给高亮度LED供电 设计要点388

引言不管从效率还是使用寿命来说,当今的超亮LED都远远超过了白炽灯泡所拥有的性能。充份利用这些特点需要一个相应高效而可靠的LED驱动器,例如LT~(?)3474。LT3474是一款支持多种电源的降压型1A LED驱动器,具有一个4V至36V的宽输入电压范围,并可通过编程以高达88%的效率来输送35mA至1A的LED电流。该器件只需要极少的外部电路,并采用节省空间的16引脚TSSOP封装。     

全流程低功耗设计技术的应用

随着便携式电子设备的日益使用,要求集成电路IC及SoC的功耗越来越低。在今后日益复杂的设计中,实现一个可靠的电源网络以减小功耗变成了主要的挑战。对于使用者来说,期待每一代新产品都具有新型功能,同时也希望产品的体积小并具有较长的工作时间。解决这个难题的方法之一就是采用新型的IC设计技术,以提供小而且高效的晶体管。在整个设计流程中,为了使器件的性能和可靠性最优,电源方面的限制非常关键。例如在逻辑门应用中,由于开关从一种状态转换到另一种状态从而引起动态功耗。在开关的转换过程中,和晶体管门极相连的所有内部电容将会被…