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一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观,促进电力电子技术向前发展。自1957年第一个晶闸管问世以来,经过40多年的开发和研究,已推出可关断晶闸管(GTO),绝缘栅双极晶体管(IGBT)等40多种电力半导体器件,目前正沿着高频化、大功率化、智能化和模块化的方向发展。 相似文献
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随着工艺尺寸的缩小,IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻。在超深压微米IC设计中,设计的复杂性会导致信号完整性(SI)问题更加突出,从而会影响整个产品的设计周期。本文提出了SI概念以及影响它的因素,并针对其两个主要影响因素,串扰(crosstalk)和IR压降进行了分析讨论,并提出了解决的方案。 相似文献
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今天,电子信息(IT)产业已涵盖通信与网络、计算机和软件、集成电路及其元器件、消费类音视频及显示,包括现代服务业等完整的产业体系。在当今世界rr和IC产业价值链中,由于各国基础条件、产业环境不同,特别是核心知识产权掌控力的差异,产业发展呈现了起点不一的阶段和地位。 相似文献
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《电子工业专用设备》2006,35(4):7-8
全球石墨巨头德国西格里碳素集团特种石墨业务部在3月21号开幕的国际半导体设备与材料协会(SEMICON CHINA 2006)上宣布,西格里碳素特种石墨业务部正大力进军亚洲电子半导体应用材料市场,中国即将成为西格里特种石墨全球战略发展的主战场之一。 相似文献
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GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
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