GaAs和（Cs，O）／GaAs热处理工艺的XPS研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了GaAs(100)面基片的化学清洗、热净化、(Cs，O)激活后加热的处理效果。GaAs的氧化过程是：首先，As氧化为低价态，然后Ga被氧化，再就是As氧化为高价。确保样品从刻蚀清洗到超高真空环境中，表面Ga没有被氧化，就可在较低的温度热净化，获得As稳定的且原子级清洁的GaAs表面。净化后GaAs表面Ga含量越高，则(Cs，O)激活后形成氧化物越多，从而形成了界面势垒，使电子逸出概率降低。     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法，阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理，并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜。     

国半和ARM公布有关PowerWise^TM Interface开放式接口技术标准

美国国家半导体公司与ARM公司2003年10月9日宣布,携手推出一种称为PowerWiseTM Interface的接口技术。两家公司更会进一步合作,推动业界采用这个开放式的接口,作为系统电源管理的标准接口。PowerWise接口技术为数字处理器及电源管理集成电路的连线互通提供一个开放式的业内标准,使便携式电子设备可以迅速采用先进的电源管理解决方案。     

乘CES东风众科技巨头争奇斗艳

随着科技的飞速发展。电子产品在人们日常生活和工作中发挥着越来越重要的作用.日前在拉斯韦加斯召开的国际消费电子展（CES）上，全球各地的半导体和电子厂商争相携其最新产品与技术参展。来自全球的2500家电子企业在为期4天的电子展上展出了他们的最新产品与服务。来自世界各地的140000位参观将尽情欣赏消费电子界最新最炫的产品。共同领略这期间涌现的最新产品与技术。向人们展示数字化未来的趋势。[编按]     

IIC-China巡展显示：半导体市场重心向中国转移

3月10日，一年一度的IIC-China巡展，再次在中国深圳开锣。这是环球资源在中国举行举办的第十一次IC技术和方案展示会。伴随着中国电子业的成长，参展商和展位数量均一路飙升，本届IIC今年的IIC-China是成立以来规模最大的一届，共有209家参展商，比去年增加21％，深圳展破纪录的展示了398个展位，比去年猛增33％。     

基于光子带隙(PBG)结构的小型K波段谐振式带通滤波器

提出了一种新的基于光子带隙结构的K波段谐振式带通滤波器，给出了近似设计公式，并在半导体衬底上，采用微电子的工艺实现了这种结构。这种滤波器设计方法简单，体积小，整个长度接近谐振频率上的导波波长，加工方便，便于与其他电路集成，带内损耗小，阻带范围宽，带外抑制高。另外，本文的理论分析和实验结果均基于半导体衬底，可以直接应用于微波集成电路中。理论模拟与实际测量值基本吻合。