超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

半导体陶瓷电子元件制造技术探讨

叙述了半导体陶瓷电子元件的配方设计、半导方法、半导机理和技术要求，以及影响半导体陶瓷电阻值的各种因素及其有效控制措施。     

哈佛大学研制出等离子体振子激光天线

哈佛大学研究人员展示了一种新型光学器件——等离子体振子激光天线，这种金属材料纳米结构的光学天线（plasmonic laser entenna），集成在一台商业半导体激光器的端面上。这种天线有些类似于传统无线通信（Wi—Fi）天线，不过在尺寸上更小，只有几百纳米，工作波长位于可见光和红外区域。研究人员Crozier表示，这种光学天线能将激光束收集起来，会聚成一个几十纳米的强光点。     

单频半导体激光器

与光纤激光技术同步发展的众望达光电，最近推出线宽〈20kHz的1550nm单频半导体激光器“ZewdaZD—CLS021D-S55”。这款专为激光相干测量应用而设计的半导体激光器真正体现了“低成本，高性能”的特点。