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一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观,促进电力电子技术向前发展。自1957年第一个晶闸管问世以来,经过40多年的开发和研究,已推出可关断晶闸管(GTO),绝缘栅双极晶体管(IGBT)等40多种电力半导体器件,目前正沿着高频化、大功率化、智能化和模块化的方向发展。 相似文献
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《电子工业专用设备》2006,35(4):7-8
全球石墨巨头德国西格里碳素集团特种石墨业务部在3月21号开幕的国际半导体设备与材料协会(SEMICON CHINA 2006)上宣布,西格里碳素特种石墨业务部正大力进军亚洲电子半导体应用材料市场,中国即将成为西格里特种石墨全球战略发展的主战场之一。 相似文献
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10Hz Q 开关100mJ 小型无水冷激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一种重频10Hz ,Cr4 + ∶YAG被动Q 开关输出能量约100mJ 的小型无水冷固体
激光器,和无水冷激光器常用的几种结构形式,为提高器件的环境适应性,采用了角锥棱镜作为全反镜,器件在常温下输出约107mJ ,在高温+ 50 ℃环境条件下工作,激光输出112mJ ;在低温- 40 ℃环境条件下工作,激光输出103mJ 。 相似文献
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在经过大规模的光网络圈地运动之后,运营商在投资上越来越谨慎。如何帮助运营商建设一个可以创造利润的网络,建设一个既立足现在,又面向未来的网络成为设备厂商竞争的关键。目前,光网络市场最热的话题是如何在传统传输平台上传送多种业务,即MSTP(Multi-ServiceTransportPlatform)———多业务传送平台。西门子推出了全新的多业务平台SURPASShiT70系列,通过对第二层数据功能的集成从而实现对数据业务的支持,同时该设备还支持多达16个10Gbit/s线路侧接口,完成对各种任意网络结构的支持。随着VC鄄SEL(VerticalCavitySurfaceEmitting… 相似文献
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GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
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