半自磨工艺在金锑矿碎磨中的应用

甘肃某公司选厂处理的金锑共生矿石中黏土矿物含量高,含水率也较高,采用常规破碎工艺存在流程不畅顺、作业环境差、劳动强度大、生产成本高等缺点。2014年该选厂采用半自磨工艺取代常规破碎工艺,该工艺克服了黏土矿物及含水率对碎矿流程的负面影响。该选厂通过持续优化半自磨工作参数及均衡两段磨矿负荷等措施,不断提高系统的磨矿效率,使得选厂磨矿段产能翻番,生产成本大幅度降低,同时降低了劳动强度并改善了生产环境等,取得了良好的经济效益与社会效益。     

国家卫生计生委关于批准β-半乳糖苷酶为食品添加剂新品种等的公告

<正>(2015年第1号)根据《中华人民共和国食品安全法》和《食品添加剂新品种管理办法》,经审核,现批准β-半乳糖苷酶为食品添加剂新品种;6-甲基辛醛为食品用香料新品种;氧化亚氮、阿拉伯胶、红曲黄色素、抗坏血酸(维生素C)、迷迭香提取物、二甲基二碳酸盐(又名维果灵)、硫酸铝钾(又名钾明矾)/硫酸铝铵(又名铵明矾)、磷酸、焦磷酸钠、六偏磷酸钠、迷迭香提取物(超临界二氧化碳萃取法)等11种食品添加剂扩大使用范围、用量。特此公告。     

制导炸弹半实物仿真系统误差对仿真结果的影响

在制导炸弹半实物仿真试验中经常发现,同一发制导炸弹多次仿真的俯仰角差别较大,同一批次制导炸弹投弹试验的遥测俯仰角与仿真俯仰角差别也较大,但是俯仰角的收敛趋势均一致,实测脱靶量与仿真脱靶量都合格,且具有一致性。为了分析出现上述现象的原因,基于协方差分析描述函数法(CADFT),建立了制导炸弹半实物仿真系统的误差传播理论,计算了仿真姿态角和姿态角速度的误差。分析了仿真姿态角和姿态角速度的误差对仿真结果的影响。结果表明,在仿真系统各种误差中,气动力和气动力矩误差是主要误差,是引起仿真俯仰角差别的重要原因; 姿态角的动态验模方法不适用于制导炸弹仿真模型,而脱靶量的静态验模方法适用于制导炸弹仿真模型。     

一种适合∑-△A／D转换器的FIR数字滤波器

讨论了一种用于∑-△A／D转换器的固定系数半带（half-band）FIR数字滤波器，分析了其线性相位特性和低通滤波特性，给出了频率仿真结果，以及在Cadence设计系统中的电路和版图实现。     

异构数据集成方法研究与实现

为解决异构数据集成的复杂性问题，文章提出了一种异构数据同步的新方法——半集成式中间件法。该方法成功地应用在重庆市社会保障综合信息系统中，具有易于实现、可扩展性、跨平台性和效率高等特点。     

新一代谐振半桥拓扑专用高压IC

专门为串联谐振半桥拓扑设计的双终接控制器芯片L6599功能丰富，设计可靠，性能卓越，支持保护全面和高可靠性的电源设计，特别适用于液晶电视和等离子电视的电源、便携电脑和游戏机的高端适配器、80＋initiative-兼容ATX电源和电信设备开关电源。     

非稳定井流模型的半解析解

为了提高非稳定渗流计算的计算精度 ,通过数学分析得到了水位传导系数随时间变化时 ,一类非稳定渗流井流模型的半解析解 ,并进行了计算比较     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

基于水印的图像认证和完整性保护技术

数字水印技术的发展为解决图像认证和完整性保护问题提供了新的思路。对用于篡改检测和图像认证的水印技术做了综述。数字水印技术根据其识别差错的能力分为四种类型:易损水印、半易损水印、混合水印和自嵌入水印。最后还对水印认证技术的安全性问题进行了讨论。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，