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基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。 相似文献
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介绍了GaAs MMIC高台面刻蚀制备工艺方法,解决了高低台面联线问题,提高了单片集成电路性能,保证了可靠性。 相似文献
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从本期起,为配合中国计算机学会、本刊编辑部、北京市单片机应用技术协会联合开展“学装微电脑”的制作活动,将陆续介绍DP—851单片计算机基本系统的组成与制作,以及在它的基础上发展而成的教学实验系统和开发系统。通过亲身实践和更深入的学习,您将能把单片计算机应用于实际工作中。 相似文献
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集成运算放大器应用技巧(五):第五讲:单电源运放应用技巧 总被引:1,自引:0,他引:1
张国华 《电子制作.电脑维护与应用》1994,(6):41-43
集成运放一般都是在对称的正、负电源下工作的,典型值为±15V。在只有单电源的场合,运放能不能工作呢?答案是:在一定条件下是可以的。如图1所示交流放大电路,图1(a)采用±15V供电,U_1为正弦信号,放大倍数为-10。图1(b)为单电源 30V供电,处理的办法是利用两个相等的电阻将本应接地的同相输入端接到 30V的中点电位。即 相似文献
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详细叙述了Zn-Al2O3和Zn-SiO2复合镀层的制做方法,提出了复合镀液中所用微粒子和净化处理方法。对复合镀层的耐腐蚀性和结合力进行了测定,得出了耐腐蚀性和结合力均较好的Zn-Al2O3和Zn-SiO2复合镀层中粒子的含量范围等有用的数据。 相似文献
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