垂直取向硬/软磁性多层膜反磁化成核场的微磁学模拟

以垂直取向硬/软磁性多层膜系统为对象,考虑形状各向异性能,利用微磁学方法分析得到一致转动与非一致转动模型反磁化成核场的解析公式。比较不同情况下两种模型的成核场随磁层厚度的变化。对两个模型,成核场都随软磁层厚度Ls增大而降低、硬磁层厚度Lh增大而增高。硬磁层厚度对一致转动模型成核场Co NH始终有着显著的影响;但对非一致转动模型,只有当小于其磁畴壁厚度时,成核场in NH才出现明显的变化。比较两种模型下的成核场,发现非一致转动成核场总是小于一致转动成核场。由此可知,复合磁性多层膜的成核模型以非一致转动为主。     

变压器绕组直流电阻超标缺陷的综合判断

针对变压器绕组电阻试验数据超标的情况,在对试验数据进行纵向对比的基础上,结合油色谱分析和红外测温图谱分析,判断出变压器的缺陷部位在高压套管V相柱头处,并分析缺陷产生直流电阻超标的原因,提出缺陷处理措施和整改建议。     

磁性薄膜高频特性研究进展

对国内外近年来在磁性薄膜高频特性的研究进展进行了较为系统的总结.包括单层膜到多层膜的转变促进高频特性的改善;不同材料对(金属层/绝缘层)对多层膜高频特性的影响;一些特殊材料薄膜的高频特性;退火效应对磁性薄膜高频特性的影响;薄膜的微结构和薄膜特性的关系等几方面.     

多束动态混合注入技术制备TiN厚膜的工艺、结构及性能研究

在多束动态混合(MBMI)-注入系统上利用MBMI技术制备TiN膜,XRD分析表明,N入射角度α(o)、氮钛原子到达比RN/Ti、N2分压PN2对膜生长的择优取向及相结构有影响;性能研究结果表明,高的入射离子能量Ei、基体温度Ts以及合适的RN/Ti对TiN膜的显微硬度HK和膜 -基结合力都有正面影响。     

薄膜型纳秒壁流探测器的研制及应用

国家同步辐射实验室和安徽光学精密机械研究所共同研制的薄膜研究纳秒壁流探测器以其占有空间小,电阻膜特性连续、均匀等优点在ＨＬＳ中得到实际应用,并获得了满意的实验结果。     

一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术

总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。     

Y2O3:Eu电致发光膜的制备与结构表征

采用电子束蒸发和射频磁控溅射技术沉积了Y2 O3 :Eu电致发光薄膜 ,对膜进行了不同温度的大气热处理。用原子力显微镜 (AFM)观察了Y2 O3 :Eu膜的表面形貌 ,用X射线 (XRD)分析了Y2 O3 :Eu膜的结构 ,并对两种Y2 O3 :Eu膜的微结构和表面形貌进行了比较。结果表明 ,射频磁控溅射Y2 O3 :Eu膜与电子束蒸发Y2 O3 :Eu膜相比 ,结构更致密 ,表面更平滑 ,而且 ,在 90 0°C高温热处理后 ,溅射膜呈现单斜晶系结构 ,具有该结构的Y2 O3 :Eu膜适宜于作电致发光膜。     

基于StrongARM SA1100的嵌入式系统中触摸屏驱动设计

触摸屏控制器简化了对触摸屏的控制,但他采用串行通信,这样触摸屏控制器的转换精度越高,从他读出触摸点坐标值所花的时间就越多。为了减少这种时间,以一个基于StrongARM SA1100的嵌入式系统应用实例介绍了一种典型的电阻式触摸屏并行通信硬件驱动电路以及在此基础上的软件驱动程序设计方法和流程。有利于操作系统对触摸屏的控制。     

印制电路板应变测量用应变片选用方法研究

应变测量由于它的众多优点在电子产品可靠性领域的应用越来越广泛,但电阻应变片的类型繁多,功能各异,以至于使用者很难找到满足自己测试目的和测试环境的应变片。文章提出的选用方法从应变片种类、敏感栅材料、基底材料、电阻值、尺寸、敏感栅结构型式和测试量境温度等方面,综合考虑并结合生产商的应变片型号编码系统,可以快捷地找到适合的印制电路板应变测量用应变片,同时针对绝大多数电子制造商不具备专业应变片检定设备的现实,介绍了一套简单可行的应变片检定工具,并通过两个实例证明该检定方法的可行性。