对网络IPv6技术的运用及升级改造方案的思考

基于互联网协议第四版(IP v4)的全球互联网面临网络地址消耗殆尽、服务质量难以保证等制约性问题,IPv6相对于IPv4拥有海量的地址表、高效的转发能力、即插即用、安全报文机制等优势,是全球公认的下一代互联网商业应用解决方案。我国基础电信企业网络基础设施能力已全面就绪,具备全国范围服务能力,并开启IPv6承载服务,移动和固定终端已经全面支持IPv6,随着政府大力推进,企业IPv6改造刻不容缓。介绍了IPv6的相关技术和协议,并分析目前企业升级改造中常用的几种方案(隧道方案、双栈方案、地址转换方案),针对不同方案提出不同的应用场景,同时提出了新建IPv6切实可行的方案,并总结IPv6未来发展的优势。     

基于双载波随机驻留策略的HSDPA RAB分配成功率优化

通过改变双载波区域UE空闲模式下的驻留策略,提出了双载波随机驻留的方式,有效地提升了HSDPA用户的接入成功率,提升了网络质量,改善用户感知。     

1553B总线控制器双机热备份设计

1553B总线作为一种高可靠的总线技术,广泛应用运用于军事领域。由于1553B总线双冗余备份的只是总线传输通道,而总线上的控制器没有热备份,一旦总线控制器出现故障,则整个总线将瘫痪。主要论述一种利用软件实现总线控制器的双机热备份设计思想和方法,此方法易于实现,效率很高,并有效地防止了工作BC和备用BC的误切换,实践验证,这种设计切实可行,有一定的通用性。     

Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响

通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4～5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰。随着Cu掺杂浓度的增大,紫外荧光峰位发生缓慢红移,由366nm移到370nm;可见区发射峰位发生蓝移,由525nm移到495nm;同时,两个发射峰强度降低。光谱结果表明:Cu的掺入,一方面抑制表面与O空位有关的缺陷,在495nm出现了与Cu1+有关的发射峰;另一方面,Cu离子掺入ZnO量子点引入一些非辐射中心,降低了自由激子发射。     

Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究

采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。     

IPv6网络与业务演进策略分析

随着IPv4地址的加速消耗,IPv4网络和业务向IPv6过渡已经势成必然,但在向IPv6演进的过程中,存在IPv6内容源缺乏,IPv4/IPv6互通困难,网络设备对IPv6支持程度参差不齐等各种问题。电信运营商必须结合自身网络和业务特点,选择合适的过渡技术和策略,平滑地向IPv6演进。本文首先简要介绍各种IPv6过渡技术,然后从电信运营商的角度,分析对比网络和业务向IPv6演进的各种策略,并指出演进过程中存在的一些困难以及解决办法。     

28 nm低功耗工艺SRAM失效分析

在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值.     

卷绕双梳齿行波管中注-波互作用的研究

本文利用CST 软件中的粒子工作室对采用卷绕双梳齿慢波结构的圆极化行波管中的注-波互作用情况进行了粒子模拟研究,观察了电子束的运动情况,同时得到了电压、电流、磁场和输入功率四个重要电气参数对输出功率的影响。研究结果为圆极化行波管的设计奠定了理论基础。     

A simulation of doping and trap effects on the spectral response of AlGaN ultraviolet detectors

We study, by means of numerical simulation, the impact of doping and traps on the performance of the “solar blind” ultraviolet Schottky detector based on AlGaN. We implemented physical models and AlGaN material properties taken from the literature, or from the interpolation between the binary materials (GaN and AlN) weighted by the mole fractions. We found that doping and traps highly impact the spectral response of the device, and in particular a compromise in the doping concentration must be reached in order to optimize the spectral response of the detector. These results give us a powerful tool to quantitatively understand the impact of elaboration and processing conditions on photodetector characteristics, and thus identify the key issues for the development of the technology.     

MOCVD制备过掺杂GaN基稀磁半导体微结构研究

应用MOCVD方法我们在c轴取向的蓝宝石衬底上生长出Fe掺杂和Mn掺杂GaN薄膜。通过改变前驱物的通入量,我们制备出不同掺杂浓度的样品。应用高分辨透射电镜,我们对样品的微结构进行了分析。对于Fe过掺杂GaN样品,我们发现了六角结构的Fe3N团簇的存在,并且Fe3N(0002)面平行于GaN(0002)面;对于Mn过掺杂GaN样品,我们发现了六角结构的Mn6N2.58相的存在,并且Mn6N2.58(0002)面平行于GaN(0002)面。同时,由于晶格中掺入了大量掺杂离子,GaN晶格取向遭到了破坏,导致了部分GaN(0002)面的倾斜。磁学测量表明均一相的Fe掺杂GaN显现铁磁性,而均一相Mn掺杂GaN没有铁磁性。由于铁磁性Fe单晶和Fe3N团簇的存在,相比于均一性Fe掺杂GaN,过掺杂GaN样品的磁性大幅度增强,而Mn过掺杂GaN样品显现出很弱的铁磁性,这有可能来源于Mn6N2.58相。