宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法

首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 ,并给出了测试结果     

低误差开关电流存储单元

详细分析了限制开关电流(SI)精度的主要误差,在共源-共栅组态存储单元的基础上,根据在开关晶体管关断前消除反型层可以改善电荷注入误差的原理,提出一种新型低误差开关电流存储单元.其主要思想是通过消除开关晶体管沟道内的可动电荷、降低存储单元的输出电导,以改善电荷注入误差和电导比误差.采用TSMC 0.25μtm CMOS模型参数进行HSPICE仿真,结果表明,该结构能够很好地降低电路误差,提高开关电流电路的精度.     

工作状态对MIS/IL太阳电池反型层电荷的影响

在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。结果表明,反型层电荷与工作状态有关,即:当输出电压为某一最佳值时,反型层电荷面密度达到最大,相应的薄层电阻最小,因而合理设定太阳电池的输出电压,可改善与薄层电阻相关的电池性能。     

MOSFET栅氧泄漏隧穿电流的分析模型:量子力学研究(英文)

研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用清晰的表面势方程改进模型的准确性。在研究模型中考虑了Si衬底中反型层的量子化和多晶硅栅耗尽,还研究了多晶硅掺杂对栅氧化层隧穿电流的影响。仿真结果表明,栅氧化层隧穿电流随多晶硅栅掺杂浓度的增加而增加。该结论与已报道的结果相吻合,从而证明了该模型的正确性。     

HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取

分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.     

薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系

本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚度。分析认为,为使超薄膜MOS/SOI器件高速和高功率工作,有必要使薄膜厚度接近整体强反型临界厚度。     

6H—SiC反型层电子库仑散射

提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型,并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性。对6H-SiC反型层电子迁移率进行了单电子Monte Carlo模拟,模拟结果和实验值相符。模拟结果表明,当有效横向电场变小时库仑散射的作用将增强,库仑电荷密度和分布也对反型层迁移率有着重要影响。     

金属／α—Si：H（Y）结构的整流特性

在掺稀土元素钇(Y)制备的室温电阻率约为7Ω·cm的n型非晶硅,即α-Si:H(Y)薄膜上,蒸发一层面积为3mm~2的Au或Al膜,从而形成一种金属/α-Si:H(Y)结构。测量该结构的电流—电压特性,结果观察到明显的Schottky势垒整流效应。但与通常情况不同,当加偏压使金属为负时出现电流的导通态,而加偏压使金属为正时出现电流的截止态。这是由于α-Si:H(Y)表面反型。     

引入杂质激发态因素的SiC MOSFET反型层电荷模型

引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型.利用数值方法求解一维泊松方程,研究激发态对反型层电荷的影响.结果显示,在杂质激发态的作用下,反型层的电子面密度降低,并且杂质激发态主要影响SiC MOSFET的亚阈区特性.杂质激发态对SiC MOSFET反型层电荷的影响依赖于温度、掺杂浓度和杂质电离能.存在激发态影响最大的温度点,且其随掺杂浓度和电离能的增加而提高.