新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

热模锻压力机夹持器设计中的若干问题

本文介绍了19.6MN(2000吨）热模锻压力夹持器在设计，安装，调试中上，下座材料选用，上顶出器打块结构，定位柱，定位键，垫板等技术问题的处理，使所设计的夹持器具有良好的装配性能，较低的制造成本，较长的使用寿命和较主的对位精度。     

Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的复合机制与新型半导体发光器件

本文较为详细地介绍了Ⅱ-Ⅵ族新型化合物半导体材料发光复合机制以及新型发光器件的结构和特性及在近代科学中的应用。     

L－B膜修饰电极循环伏安行为模拟──（Ⅰ）电荷转移速度常数对循环伏安性能的影响

本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Ｚ型Ｌ－Ｂ膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰Ｌ－Ｂ膜分子第一层之间的电荷转移速度常数Ｋ_ｏ，Ｌ－Ｂ膜分子层间的电荷转移速度常数ｋ_ｉ；对峰电位差△Ｅ_ｐ及阳极峰面积Ｑ的影响，以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。     

EVA基质PTC特性材料制备与导电机理分析

本文简述了以EVA为基质材料制备有机PTC特性材料的实验,实测了样品有关特性,并用非线性回归方法讨论了其导电机理.这对指导温度传感器的设计有一定帮助.     

高速应用的薄膜MCM材料评述

信号频率在１００ＭＨｚ以上时，材料性质对薄膜多芯片组件（ＭＣＭ－Ｄ）的性能变得越来越重要。本文讨论高频下材料性质对ＭＣＭ－Ｄ的电性能的影响。着重讨论介电常数、介质损耗角正切、互连金属电阻和互连金属趋肤深度等对系统性能的影响。对常用的ＭＣＭ－Ｄ材料的这些性质作了比较。     

反应溅射法制备的软磁铁氮膜

用反应溅射法在Ａｒ＋Ｎ２混合气氛中制备了软磁性铁氮膜，并对样品进行了真空退火热处理。考察了制备条件和热处理对铁氮膜的微结构和软磁性能的影响。发现氮气的加入导致了晶粒尺寸减小和软磁性能改善，还能抑制热处理过程中的晶粒生长。